[实用新型]半导体装置

说明书

本实用新型提供一种半导体装置，其实现变压器的绝缘耐压的提高，而不会导致制造工序的复杂化。半导体装置能够利用电感耦合进行信号传送，其中，该半导体装置包括第1半导体芯片，所述第1半导体芯片具备：第1层间绝缘膜；布线层，形成于所述第1层间绝缘膜上；第2层间绝缘膜，覆盖所述布线层，且形成于所述第1层间绝缘膜上；第1电感器，形成于所述布线层；以及导体图案，形成于所述布线层，在所述第1层间绝缘膜与所述第2层间绝缘膜之间，形成有凹凸形状，所述凹凸形状包括彼此相邻的凸部和凹部，在所述凸部上配置有所述导体图案。

技术领域

本实用新型涉及半导体装置及其制造技术，例如涉及应用于能够利用电感耦合了的一对电感器来在不同的电位之间进行信号传送的半导体装置及其制造技术而有效的技术。

背景技术

在日本特开2014-22600号公报(专利文献1)中，记载了不增加包括绝缘区域的隔离器整体的占有面积而能够提高沿面绝缘耐压的技术。具体来说，在专利文献1中，记载了如下技术：通过在相互层叠的绝缘层间形成凹凸形状，从而使爬电距离变长，提高沿面绝缘耐压。

专利文献1：日本特开2014-22600号公报

实用新型内容

实用新型所要解决的课题

例如，存在能够利用电感耦合了的一对电感器来进行非电接触的信号传送的变压器(微型隔离器)。根据该变压器，能够以非电接触的状态进行信号传送，因此，得到能够抑制来自一方的电路的电噪声对另一方的电路造成不良影响的优点。并且，在这样构成的变压器中，在电位彼此大不相同的电路之间也能够进行非电接触的信号传送，期望提高绝缘耐压。

其他课题和新颖的特征将根据本说明书的叙述以及附图而变得明确。

用于解决课题的技术方案

一个实施方式中的半导体装置能够利用电感耦合进行信号传送，其中，该半导体装置包括第1半导体芯片，所述第1半导体芯片具备：第1层间绝缘膜；布线层，形成于所述第1层间绝缘膜上；第2层间绝缘膜，覆盖所述布线层，且形成于所述第1层间绝缘膜上；第1电感器，形成于所述布线层；以及导体图案，形成于所述布线层，在所述第1层间绝缘膜与所述第2层间绝缘膜之间，形成有凹凸形状，所述凹凸形状包括彼此相邻的凸部和凹部，在所述凸部上配置有所述导体图案。

实用新型效果

根据一个实施方式，能够实现变压器的绝缘耐压的提高，而不会导致制造工序的复杂化。

附图说明

图1是示出驱动负载的驱动控制部的结构例的图。

图2是示出信号的传送例的说明图。

图3是示出在关联技术中形成有变压器的半导体芯片的示意性的构造的剖视图。

图4是示出实施方式1中的半导体芯片的示意性的器件构造的剖视图。

图5是放大地示出图4所示的半导体芯片的区域的一部分的图。

图6是示出实施方式1中的半导体装置的制造工序的剖视图。

图7是示出接着图6的半导体装置的制造工序的剖视图。

图8是示出接着图7的半导体装置的制造工序的剖视图。

图9是示出接着图8的半导体装置的制造工序的剖视图。

图10是示出接着图9的半导体装置的制造工序的剖视图。

图11是示出变形例中的半导体芯片的示意性的构造的剖视图。

图12是示出变形例中的半导体装置的制造工序的剖视图。

图13是示出接着图12的半导体装置的制造工序的剖视图。