[实用新型]存储器的焊盘结构

说明书

本申请涉及存储器领域，公开了存储器的焊盘结构。焊盘结构可以包括底垫金属，形成在衬底上；多个第一导体栓塞，设置在所述底垫金属的周边区上；中间层缓冲垫，有间隔地对准并位于所述底垫金属上，所述第一导体栓塞纵向连接所述底垫金属与所述中间层缓冲垫；多个第二导体栓塞，设置在所述中间层缓冲垫的周边区上；以及表面接合垫，有间隔地对准并位于所述中间层缓冲垫上，所述第二导体栓塞纵向连接所述中间层缓冲垫与所述表面接合垫；其中，所述中间层缓冲垫为网状结构，所述第一导体栓塞和所述第二导体栓塞相对偏离所述中间层缓冲垫的中央区的纵向投射区域。本申请提供的焊盘结构能够更好地释放键合应力。

技术领域

本申请涉及半导体存储器技术领域，具体地，涉及一种存储器的焊盘结构。

背景技术

在存储器(例如DRAM，Dynamic Random Access Memory)制造过程中，传统的焊盘键合过程是通过矩阵式分布的纵向连接通道(Via)互连两层以上导体垫层。纵向连接通道内通常是填满硬棒形金属材料(例如钨栓塞结构)，当对上层的导体垫层进行接合时，键合应力难以释放且有时在键合过程中会由于应力而导致纵向连接通道损坏。

实用新型内容

本申请的目的是提供一种存储器的焊盘结构。

为实现上述目的，在本申请的实施方式提供一种存储器的焊盘结构，包括：底垫金属，形成在衬底上；多个第一导体栓塞，设置在所述底垫金属的周边区上；中间层缓冲垫，有间隔地对准并位于所述底垫金属上，所述第一导体栓塞纵向连接所述底垫金属与所述中间层缓冲垫；多个第二导体栓塞，设置在所述中间层缓冲垫的周边区上；以及表面接合垫，有间隔地对准并位于所述中间层缓冲垫上，所述第二导体栓塞纵向连接所述中间层缓冲垫与所述表面接合垫；其中，所述中间层缓冲垫为网状结构，所述第一导体栓塞和所述第二导体栓塞相对偏离所述中间层缓冲垫的中央区的纵向投射区域。

可选地，所述中间层缓冲垫的中央区为挖空结构，所述中间层缓冲垫的周边区为网状结构。

可选地，所述中间层缓冲垫的周边区中的网状结构的网格为矩形格。

可选地，所述矩形格的长边与宽边的比介于3和10之间。

可选地，所述中间层缓冲垫的中央区的挖空结构占据所述中间层缓冲垫的尺寸的范围为所述中间层缓冲垫的尺寸的20％至60％。

可选地，焊盘结构还包括：第一介电层，形成在所述底垫金属与所述中间层缓冲垫之间，所述第一介电层具有多个第一连接孔，所述多个第一导体栓塞形成在所述多个第一连接孔中；以及第二介电层，形成在所述中间层缓冲垫与所述表面接合垫之间，所述第二介电层具有多个第二连接孔，所述多个第二导体栓塞形成在所述多个第二连接孔中。

可选地，所述多个第一导体栓塞包括围绕所述底垫金属的周边设置的多排第一导体栓塞，所述多排第一导体栓塞的排数介于3至5排之间。

可选地，所述多个第二导体栓塞包括围绕所述中间层缓冲垫的周边设置的多排第二导体栓塞，所述多排第二导体栓塞的排数介于3至5排之间。

通过上述技术方案，在中间层缓冲垫和表面接合垫的中央区不设置导体栓塞，当在键合时对表面接合垫施加键合应力时，由于中间层缓冲垫和表面接合垫的中央区没有导体栓塞的“硬”支撑，中间层缓冲垫和表面接合垫可以向中央区发生形变，由此能够更好地释放键合应力。

本申请的其它特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。

附图说明

附图是用来提供对本申请的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本申请，但并不构成对本申请的限制。在附图中：

图1A示出了根据本申请的实施方式的存储器的焊盘结构的剖面示意图；