[实用新型]存储器的焊盘结构有效
| 申请号： | 201820521570.9 | 申请日： | 2018-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN208127196U | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 肖冰滨;刘兵 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 缓冲垫 中间层 导体栓塞 焊盘结构 底垫 金属 存储器 表面接合 纵向连接 周边区 对准 存储器领域 投射区域 网状结构 释放键 中央区 衬底 申请 偏离 | ||
1.一种存储器的焊盘结构，其特征在于，包括：
底垫金属，形成在衬底上；
多个第一导体栓塞，设置在所述底垫金属的周边区上；
中间层缓冲垫，有间隔地对准并位于所述底垫金属上，所述第一导体栓塞纵向连接所述底垫金属与所述中间层缓冲垫；
多个第二导体栓塞，设置在所述中间层缓冲垫的周边区上；以及
表面接合垫，有间隔地对准并位于所述中间层缓冲垫上，所述第二导体栓塞纵向连接所述中间层缓冲垫与所述表面接合垫；
其中，所述中间层缓冲垫为网状结构，所述第一导体栓塞和所述第二导体栓塞相对偏离所述中间层缓冲垫的中央区的纵向投射区域。
2.根据权利要求1所述的焊盘结构，其特征在于，所述中间层缓冲垫的中央区为挖空结构，所述中间层缓冲垫的周边区为网状结构。
3.根据权利要求2所述的焊盘结构，其特征在于，所述中间层缓冲垫的周边区中的网状结构的网格为矩形格。
4.根据权利要求3所述的焊盘结构，其特征在于，所述矩形格的长边与宽边的比介于3和10之间。
5.根据权利要求2所述的焊盘结构，其特征在于，所述中间层缓冲垫的中央区的挖空结构占据所述中间层缓冲垫的尺寸的范围为所述中间层缓冲垫的尺寸的20％至60％。
6.根据权利要求1所述的焊盘结构，其特征在于，还包括：
第一介电层，形成在所述底垫金属与所述中间层缓冲垫之间，所述第一介电层具有多个第一连接孔，所述多个第一导体栓塞形成在所述多个第一连接孔中；以及
第二介电层，形成在所述中间层缓冲垫与所述表面接合垫之间，所述第二介电层具有多个第二连接孔，所述多个第二导体栓塞形成在所述多个第二连接孔中。
7.根据权利要求1所述的焊盘结构，其特征在于，所述多个第一导体栓塞包括围绕所述底垫金属的周边设置的多排第一导体栓塞，所述多排第一导体栓塞的排数介于3至5排之间。
8.根据权利要求1所述的焊盘结构，其特征在于，所述多个第二导体栓塞包括围绕所述中间层缓冲垫的周边设置的多排第二导体栓塞，所述多排第二导体栓塞的排数介于3至5排之间。
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