[实用新型]一种集成型封装结构

说明书

本实用新型涉及一种集成型封装结构，包括至少两层重新布线层，重新布线层为介电层，在介电层的两侧层面上有连接两侧进行互相配合并形成互联结构的金属连接结构，金属连接结构露出介电层作为金属触点，重新布线层的一侧设置塑封层，塑封层内塑封有芯片或无源被动元件，相邻的重新布线层之间通过金属导电柱连接。采用本实用新型的设计方案，可以把尺寸大小各异的无源器件与裸晶片同时集成封装，大大提高了集成度，对于wifi，PA，PMU等类型的使用大量无源器件的应用尤为适合，同时，三维堆叠方式大大缩小了封装面积。

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术领域，具体涉及一种集成型封装结构。

背景技术

随着电子装置设备的多功能化和小型化越来越高，需要集成封装在一起的芯片种类和数量也日益提高，例如wifi/PA/PMU等应用需要将具有不同功能的有源芯片(裸晶片，或已经封装好的芯片等)与无源被动元器件等其他器件组装到一起，实现具有一定功能的单个封装件，从而形成一个系统或者子系统。

目前广泛采用的扇出型封装是对已经塑封在一起的所有被动元件及裸晶片构成的塑封体上进行重新布线以达到元器件之间的互联封装，该类封装方法在应对数量较多且较复杂多样的芯片与无源被动器件的集成封装时存在诸如翘曲度控制难度较大，精度差，封装面积较大，可靠性不高等问题。

实用新型内容

发明目的：本实用新型的目的在于解决现有的电子装置设备封装要求能够集成不同功能的芯片，然而封装技术滞后，无法实现多功能，同时对于数量较多且较复杂多样的芯片与无源被动器件的集成封装时存在诸如翘曲度控制难度较大，精度差，封装面积较大，可靠性不高等问题。

技术方案：本实用新型提供以下技术方案：一种集成型封装结构，包括至少两层重新布线层，重新布线层为介电层，在介电层的两侧层面上有连接两侧进行互相配合并形成互联结构的金属连接结构，金属连接结构露出介电层作为金属触点，重新布线层的一侧设置塑封层，塑封层内塑封有芯片或无源被动元件，相邻的重新布线层之间通过金属导电柱连接。

采用了至少两层重新布线层/介电层的设计，并且在两层重新布线层直线设置塑封层，使得封装方式变为立体封装，并且通过金属导电柱以及金属连接结构的配合，能够将上下层重新布线层进行电学连接。

进一步地，金属连接结构一端与介电层的平面平行，一端延伸出介电层，延伸出介电层的金属触点一侧设置塑封层。

采用金属连接结构在介电层两侧不一样的结构设计，方便介电层两侧的区分，防止工艺过程产生误操作。

进一步地，金属导电柱连接相邻两层介电层的对应金属触点。

进一步地，完成组装后的多层重新布线层，一侧为塑封层，一侧为介电层，介电层的金属触点位置涂覆锡球。

进一步地，包括两层重新布线层，从上至下依次设置塑封层、介电层、塑封层和介电层，在介电层的两侧层面上有连接两侧进行互相配合并形成互联结构的金属连接结构，金属连接结构一端与介电层的平面平行，一端延伸出介电层，延伸出介电层的金属触点一侧设置塑封层，塑封层内塑封有芯片或无源被动元件，两层介电层之间的塑封层内还设有将两层介电层对应金属触点进行连接的金属导电柱，最下方的介电层底部金属触点上涂覆锡球。

进一步地，塑封层中芯片或无源被动元件带有金属凸点的一侧朝向介电层，对应于介电层上延伸出介电层的金属触点完成连接。

进一步地，芯片或无源被动元件包含至少一个伪管芯。

伪管芯由具有适当热膨胀系数和体积大小的材质所组成，作用仅仅为用于调节和改善所封装的各个元器件和塑封材料之间由于热膨胀系数失配而引起的封装体的翘曲度。

进一步地，所述介电层为无机介电层或有机介电层。

进一步地，对应于金属导电柱的位置，采用微硅晶块替代。