[实用新型]一种集成型封装结构

权利要求书

1.一种集成型封装结构，其特征在于：包括至少两层重新布线层，重新布线层为介电层，在介电层的两侧层面上有连接两侧进行互相配合并形成互联结构的金属连接结构，金属连接结构露出介电层作为金属触点，重新布线层的一侧设置塑封层，塑封层内塑封有芯片或无源被动元件，相邻的重新布线层之间通过金属导电柱连接。

2.根据权利要求1所述的集成型封装结构，其特征在于：金属连接结构一端与介电层的平面平行，一端延伸出介电层，延伸出介电层的金属触点一侧设置塑封层。

3.根据权利要求1所述的集成型封装结构，其特征在于：金属导电柱连接相邻两层介电层的对应金属触点。

4.根据权利要求1所述的集成型封装结构，其特征在于：完成组装后的多层重新布线层，一侧为塑封层，一侧为介电层，介电层的金属触点位置涂覆锡球。

5.根据权利要求1所述的集成型封装结构，其特征在于：包括两层重新布线层，从上至下依次设置塑封层、介电层、塑封层和介电层，在介电层的两侧层面上有连接两侧进行互相配合并形成互联结构的金属连接结构，金属连接结构一端与介电层的平面平行，一端延伸出介电层，延伸出介电层的金属触点一侧设置塑封层，塑封层内塑封有芯片或无源被动元件，两层介电层之间的塑封层内还设有将两层介电层对应金属触点进行连接的金属导电柱，最下方的介电层底部金属触点上涂覆锡球。

6.根据权利要求1或5所述的集成型封装结构，其特征在于：塑封层中芯片或无源被动元件带有金属凸点的一侧朝向介电层，对应于介电层上延伸出介电层的金属触点完成连接。

7.根据权利要求1或5所述的集成型封装结构，其特征在于：芯片或无源被动元件包含至少一个伪管芯。

8.根据权利要求1至5任意一项所述的集成型封装结构，其特征在于：所述介电层为无机介电层或有机介电层。

9.根据权利要求1所述的集成型封装结构，其特征在于：对应于金属导电柱的位置，采用微硅晶块替代。

10.根据权利要求9所述的集成型封装结构，其特征在于：所述微硅晶块包括硅晶圆，在硅晶圆上的多个凹槽内壁涂覆二氧化硅介电层并用金属导电柱填充通孔。