[发明专利]半导体元件

说明书

本发明实施例提供一种半导体元件，其包括第一接垫与第二接垫、第一导电连接件与第二导电连接件、第一导电结构以及第二导电结构。第一导电连接件与第二导电连接件位于第一接垫与第二接垫上方。第一导电结构电性连接第一接垫与第一导电连接件，包括第一导电部分、位于第一导电部分上的第二导电部分以及连接第一导电部分与第二导电部分的连接部分，其中第一导电部分与第二导电部分在水平方向上错开，且第一导电部分、连接部分以及第二导电部分为一体成形。第二导电结构电性连接第二接垫与第二导电连接件，其中在垂直方向上，第二导电结构的部分与其下方的第一导电结构交叠。

技术领域

本发明涉及一种半导体元件。

背景技术

虽然能够通过晶片层级的晶片级芯片尺寸封装(Wafer Level Chip ScalePackage，WLCSP)技术来增加芯片上可放置的锡球数目，但其涉及复杂的制造，导致半导体元件的制作成本增加。

发明内容

本发明提供一种半导体元件，能最大化半导体元件表面可放置的导电连接件数量。

本发明的半导体元件包括第一接垫与第二接垫、第一导电连接件与第二导电连接件、第一导电结构以及第二导电结构。第一导电连接件与第二导电连接件位于第一接垫与第二接垫上方。第一导电结构电性连接第一接垫与第一导电连接件，包括第一导电部分、位于第一导电部分上的第二导电部分以及连接第一导电部分与第二导电部分的连接部分，其中第一导电部分与第二导电部分在水平方向上错开，且第一导电部分、连接部分以及第二导电部分为一体成形。第二导电结构电性连接第二接垫与第二导电连接件，其中在垂直方向上，第二导电结构的部分与其下方的第一导电结构交叠。

在本发明的一些实施例中，第一导电连接件与第一接垫在水平方向上错开。

在本发明的一些实施例中，第一导电结构直接接触第一接垫与第一导电连接件。

在本发明的一些实施例中，还包括第一介电层，包括第一区块、顶面高于第一区块的第二区块以及连接第一区块与第二区块的斜坡区块，其中第一导电部分、连接部分以及第二导电部分分别配置于第一区块、斜坡区块以及第二区块上。

在本发明的一些实施例中，还包括覆盖第一导电结构的第二介电层，第二导电结构形成于第二介电层上，其中第二介电层与第一介电层的顶面实质上共面。

在本发明的一些实施例中，第一介电层还包括暴露出第一接垫的开口，第一导电结构通过开口与第一接垫电性连接。

在本发明的一些实施例中，还包括配置于第一导电结构与第二导电结构之间的第二介电层，其中第二介电层包括暴露出第一导电结构的开口，第一导电结构通过开口与第一导电连接件电性连接。

在本发明的一些实施例中，第二导电结构的部分在垂直方向上位于第一导电部分与第二导电部分之间。

在本发明的一些实施例中，第二导电结构还包括位于第二导电结构的部分上的通孔，通孔与第二导电结构的部分直接接触。

在本发明的一些实施例中，还包括第三导电结构，其中第二导电结构的部分位于第三导电结构的顶面与底面之间，且在垂直方向上，第三导电结构与其下方的第二导电结构的部分交叠。

基于上述，本发明实施例的半导体元件包括导电结构，导电结构是埋在接垫与诸如锡球等导电连接件之间的介电层中，以电性连接接垫与导电连接件。也就是说，导电结构不会占用到晶片表面面积，如此一来，能够最大化可在晶片表面布置的导电连接件数量。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。

附图说明

图1A至图1J是依照本发明一些实施例的半导体元件的制造方法的剖视示意图。

图2是依照本发明一些实施例的半导体元件的上视示意图。