[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底；在所述基底表面形成图形化的光刻胶层；以所述图形化的光刻胶层为掩膜，进行离子注入工艺，在所述基底内掺入离子；所述离子注入工艺之后，以第一处理物对所述光刻胶层的材料进行改性处理，所述第一处理物为碱性。所述形成方法能够有效减小光刻胶层的收缩。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

低活化能光刻胶(low Ea resist)，简称低温胶，由于所述低温胶能量宽裕度(EL)高，曝光后烘焙(PEB)稳定性好，因此广泛应用于离子注入工艺中。

然而，现有的低活化能光刻胶的活化能较低，在离子注入工艺由于受到离子的轰击发生瞬时收缩，同时，在室温下随着时间会继续发生缓慢收缩，从而发生光刻胶关键尺寸的收缩。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种半导体结构及其形成方法，有效减小光刻胶层的收缩。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底表面形成图形化的光刻胶层；以所述图形化的光刻胶层为掩膜，进行离子注入工艺，在所述基底内掺入离子；所述离子注入工艺之后，以第一处理物对所述光刻胶层的材料进行改性处理，所述第一处理物为碱性。

可选的，所述光刻胶层的材料为低活化能光刻胶。

可选的，所述改性处理的工艺包括：干法处理、湿法处理或者离子化处理。

可选的，所述改性处理为干法处理时，所述干法处理的方法包括：将所述第一处理物进行气化产生气体；将气体对光刻胶层的材料进行改性处理。

可选的，所述改性处理为离子化处理时，所述离子化处理的方法包括：将所述第一处理物等离子处理产生等离子体；将等离子体对光刻胶层进行改性处理。

可选的，所述改性处理为湿法处理时，所述湿法处理的方法包括：将所述第一处理物的溶液，对光刻胶层的材料进行处理。

可选的，所述第一处理物包括：无机弱碱物质或有机弱碱物质。

可选的，所述无机弱碱物质包括：碳酸钾、碳酸铯或碳酸钠。

可选的，所述有机弱碱物质包括：胺类化合物、咪唑类化合物、嘧啶类化合物或吡啶类化合物。

可选的，所述胺类化合物包括：六甲基二硅氮烷。

可选的，所述低活化能光刻胶的成分包括：光酸产生剂和酸感基团。

可选的，所述图形化的光刻胶层的形成方法包括：在所述基底表面形成光刻胶膜；对所述光刻胶膜进行曝光，将掩膜版中的图形转移到所述光刻胶膜中；进行所述曝光后，对所述光刻胶膜显影，形成图形化的光刻胶层。

可选的，所述光刻胶膜的形成工艺包括：旋涂工艺。

可选的，所述离子注入工艺的工艺参数包括：注入能量为10千电子伏～300千电子伏，注入剂量为1e13原子数/平方厘米～1e14原子数/平方厘米。

可选的，还包括：在形成所述光刻胶层之前，采用第二处理物对基底进行表面处理。

可选的，所述第一处理物与第二处理物相同。

相应的，本发明还提供一种上述任一项方法所形成的半导体结构。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：