[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底表面形成图形化的光刻胶层，所述光刻胶层的材料为低活化能光刻胶；

以所述图形化的光刻胶层为掩膜，进行离子注入工艺，在所述基底内掺入离子；

所述离子注入工艺之后，以第一处理物对所述光刻胶层的材料进行改性处理，所述第一处理物适于中和所述离子注入工艺对所述光刻胶层轰击产生的氢离子，所述第一处理物为碱性，所述第一处理物包括：无机弱碱物质或有机弱碱物质。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述改性处理的工艺包括：干法处理、湿法处理或者离子化处理。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述改性处理为干法处理时，所述干法处理的方法包括：将所述第一处理物进行气化产生气体；将气体对光刻胶层的材料进行改性处理。

4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述改性处理为离子化处理时，所述离子化处理的方法包括：将所述第一处理物等离子处理产生等离子体；将等离子体对光刻胶层进行改性处理。

5.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述改性处理为湿法处理时，所述湿法处理的方法包括：将所述第一处理物的溶液，对光刻胶层的材料进行处理。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述无机弱碱物质包括：碳酸钾、碳酸铯或碳酸钠。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述有机弱碱物质包括：胺类化合物、咪唑类化合物、嘧啶类化合物或吡啶类化合物。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述胺类化合物包括：六甲基二硅氮烷。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述低活化能光刻胶的成分包括：光酸产生剂和酸感基团。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述图形化的光刻胶层的形成方法包括：在所述基底表面形成光刻胶膜；对所述光刻胶膜进行曝光，将掩膜版中的图形转移到所述光刻胶膜中；进行所述曝光后，对所述光刻胶膜显影，形成图形化的光刻胶层。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述光刻胶膜的形成工艺包括：旋涂工艺。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述离子注入工艺的工艺参数包括：注入能量为10千电子伏～300千电子伏，注入剂量为1e13原子数/平方厘米～1e14原子数/平方厘米。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述光刻胶层之前，采用第二处理物对基底进行表面处理。

14.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一处理物与第二处理物相同。

15.一种采用如权利要求1至14任一项方法所形成的半导体结构。