[发明专利]包括贯穿模制通孔的堆叠封装

说明书

包括贯穿模制通孔的堆叠封装。堆叠封装包括第一子封装和堆叠在第一子封装上的第二子封装。第一子封装包括第一半导体芯片、在X轴方向上与第一半导体芯片间隔开的用于连接的第一贯穿模制通孔(TMV)、在Y轴方向上与第一半导体芯片间隔开的用于旁通的第一TMV和用于将第一半导体芯片连接到用于连接的第一TMV的重新布线(RDL)图案。第二子封装包括第二半导体芯片、在Y轴方向上与第二半导体芯片间隔开的用于连接的第二TMV以及用于将第二半导体芯片连接到用于连接的第二TMV的另一RDL图案。堆叠的第二子封装堆叠在第一子封装上，使得用于连接的第二TMV连接到用于旁通的第一TMV。

技术领域

本公开涉及半导体封装技术，并且更具体地，涉及包括贯穿模制通孔(TMV)结构的堆叠封装。

背景技术

近来，在各种电子系统中需要具有高密度并且以高速操作的半导体封装。响应于这种需求，已经专注于增加具有多个沟道的半导体封装的带宽。此外，已经开发出具有相对小的形状因数的半导体封装。因此，可以垂直堆叠多个半导体芯片以实现具有大存储容量的紧凑半导体封装。

发明内容

根据实施方式，一种堆叠封装包括封装基板、堆叠在封装基板上的第一子封装，与封装基板相对地堆叠在第一子封装上的第二子封装以及与第一子封装相对地堆叠在第二子封装上的第三子封装。封装基板具有第一表面，第一外部连接器和第二外部连接器附接到第一表面。第一子封装堆叠在封装基板的与第一外部连接器和第二外部连接器相对的第二表面上。第一子封装包括第一半导体芯片、在X轴方向上与第一半导体芯片间隔开并且通过封装基板连接到第一外部连接器的用于连接的第一贯穿模制通孔(TMV)、在Y轴方向上与第一半导体芯片间隔开并且通过封装基板连接到第二外部连接器的用于旁通的第一TMV以及用于将第一半导体芯片连接到用于连接的第一TMV的第一重新布线(RDL)图案。第二子封装包括第二半导体芯片、在Y轴方向上与第二半导体芯片间隔开并且连接到用于旁通的第一TMV的用于旁通的第二TMV以及用于将第二半导体芯片连接到用于连接的第一TMV的第二RDL图案。第三子封装包括第三半导体芯片和用于将第三半导体芯片连接到用于旁通的第二TMV的第三RDL图案。

根据另一实施方式，一种堆叠封装包括封装基板、堆叠在封装基板上的第一子封装以及与封装基板相对地堆叠在第一子封装上方的第三子封装。封装基板具有第一表面，第一外部连接器和第二外部连接器附接到第一表面。第一子封装堆叠在封装基板的与第一外部连接器和第二外部连接器相对的第二表面上。第一子封装包括第一半导体芯片、在Y轴方向上与第一半导体芯片间隔开并且通过封装基板连接到第二外部连接器的用于旁通的第一贯穿模制通孔(TMV)以及用于通过封装基板将第一半导体芯片连接到第一外部连接器的第一重新布线(RDL)图案。第三子封装包括第三半导体芯片和用于将第三半导体芯片连接到用于旁通的第一TMV的第三RDL图案。

根据又一实施方式，一种堆叠封装包括封装基板、堆叠在封装基板上的第一子封装、与封装基板相对地堆叠在第一子封装上的第二子封装以及与第一子封装相对地堆叠在第二子封装上的第三子封装。封装基板具有第一表面，第一外部连接器和第二外部连接器附接到第一表面。第一子封装堆叠在封装基板的与第一外部连接器和第二外部连接器相对的第二表面上。第一子封装包括：第一半导体芯片；模制层，其覆盖第一半导体芯片的侧表面并具有露出第一半导体芯片的第一表面的第二表面，所述第一半导体芯片的第一表面面向与所述封装基板的第二表面相同的方向；用于连接的第一贯穿模制通孔(TMV)，其在X轴方向上与第一半导体芯片间隔开并且穿透模制层以通过封装基板与第一外部连接器连接；用于旁通的第一TMV，其在Y轴方向上与第一半导体芯片间隔开并且穿透模制层以通过封装基板与第二外部连接器连接；以及第一重新布线(RDL)图案，其从模制层的第二表面延伸到第一半导体芯片的第一表面上以将第一半导体芯片连接到用于连接的第一TMV。第二子封装包括第二半导体芯片、在Y轴方向上与第二半导体芯片间隔开并且连接到用于旁通的第一TMV的用于旁通的第二TMV和用于将第二半导体芯片连接到用于连接的第一TMV的第二RDL图案。第三子封装包括第三半导体芯片和用于将第三半导体芯片连接到用于旁通的第二TMV的第三RDL图案。