[发明专利]包括贯穿模制通孔的堆叠封装在审

专利信息
申请号: 201811432817.0 申请日: 2018-11-28
公开(公告)号: CN110416174A 公开(公告)日: 2019-11-05
发明(设计)人: 严柱日;李在薰;崔福奎 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L23/498;H01L23/31;H01L25/07
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 刘久亮;黄纶伟
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 半导体芯片 封装 堆叠封装 堆叠 模制 通孔 旁通 贯穿 图案 重新布线
【权利要求书】:

1.一种堆叠封装,该堆叠封装包括:

封装基板,所述封装基板具有第一表面,第一外部连接器和第二外部连接器附接到所述第一表面;

第一子封装,所述第一子封装堆叠在所述封装基板的与所述第一外部连接器和所述第二外部连接器相对的第二表面上,其中,所述第一子封装包括第一半导体芯片、沿X轴方向与所述第一半导体芯片间隔开并且通过所述封装基板连接到所述第一外部连接器的用于连接的第一贯穿模制通孔TMV、在Y轴方向上与所述第一半导体芯片间隔开并且通过所述封装基板连接到所述第二外部连接器的用于旁通的第一TMV以及用于将所述第一半导体芯片连接到所述用于连接的第一TMV的第一重新布线RDL图案;

第二子封装,所述第二子封装与所述封装基板相对地堆叠在所述第一子封装上,其中,所述第二子封装包括第二半导体芯片、在所述Y轴方向上与所述第二半导体芯片间隔开并且连接到所述用于旁通的第一TMV的用于旁通的第二TMV以及用于将所述第二半导体芯片连接到所述用于连接的第一TMV的第二RDL图案;和

第三子封装,所述第三子封装与第一子封装相对地堆叠在所述第二子封装上,其中,所述第三子封装包括第三半导体芯片和用于将所述第三半导体芯片连接到所述用于旁通的第二TMV的第三RDL图案。

2.根据权利要求1所述的堆叠封装,

其中,所述第一子封装还包括模制层,所述模制层至少覆盖所述第一半导体芯片的侧表面并露出所述第一半导体芯片的第一表面;并且

其中,所述第一RDL图案从所述模制层的第二表面延伸到所述第一半导体芯片的露出的第一表面上。

3.根据权利要求2所述的堆叠封装,其中,所述第一半导体芯片的露出的第一表面面向所述封装基板的所述第二表面。

4.根据权利要求2所述的堆叠封装,其中,所述用于连接的第一TMV和所述用于旁通的第一TMV两者实质上穿透所述模制层以从所述模制层的所述第二表面延伸到所述模制层的与所述第一RDL图案相对的第一表面。

5.根据权利要求1所述的堆叠封装,其中,所述用于旁通的第一TMV与所述第一半导体芯片电性断开并隔离。

6.根据权利要求1所述的堆叠封装,

其中,所述第二子封装还包括用于连接的第二TMV,该用于连接的第二TMV在所述X轴方向上与所述第二半导体芯片间隔开并且连接到所述用于连接的第一TMV;并且

其中,所述第二RDL图案延伸以将所述第二半导体芯片连接到所述用于连接的第二TMV。

7.根据权利要求6所述的堆叠封装,其中,所述第三子封装还包括用于旁通的第三TMV,该用于旁通的第三TMV在所述X轴方向上与所述第三半导体芯片间隔开并且连接到所述用于连接的第二TMV。

8.根据权利要求7所述的堆叠封装,

其中,所述第三子封装还包括用于连接的第三TMV,该用于连接的第三TMV在所述Y轴方向上与所述第三半导体芯片间隔开并且连接到所述用于旁通的第二TMV;并且

其中,所述第三RDL图案将所述第三半导体芯片连接到所述用于连接的第三TMV。

9.根据权利要求8所述的堆叠封装,该堆叠封装还包括第四子封装,所述第四子封装与所述第二子封装相对地堆叠在所述第三子封装上,

其中,所述第四子封装包括:

第四半导体芯片;

在所述X轴方向上与所述第四半导体芯片间隔开并且连接到所述用于旁通的第三TMV的用于旁通的第四TMV;

在所述Y轴方向上与所述第四半导体芯片间隔开并且连接到所述用于连接的第三TMV的用于连接的第四TMV;和

用于将所述第四半导体芯片连接到所述用于连接的第四TMV的第四RDL图案。

10.根据权利要求1所述的堆叠封装,

其中,所述第一RDL图案包括沿所述X轴方向延伸的延伸图案;并且

其中,所述第三RDL图案包括沿所述Y轴方向延伸的延伸图案。

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