[发明专利]半导体装置

说明书

本发明提供一种半导体装置。半导体装置具备：第1绝缘基板，在第1绝缘层的两面分别设置有金属层；第1半导体元件，配置于第1绝缘基板的一侧的金属层上；第2绝缘基板，在第2绝缘层的两面分别设置有金属层；第2半导体元件，配置于第2绝缘基板的一侧的金属层上；以及密封体，密封第1半导体元件以及所述第2半导体元件。第1绝缘基板的另一侧的金属层以及第2绝缘基板的另一侧的金属层在密封体的平坦的第1表面露出。

技术领域

本说明书公开的技术涉及半导体装置。

背景技术

在日本特开2012-146760号公报中公开使用了绝缘基板的半导体装置。绝缘基板是被主要用于电力系统的电路的基板，例如具有在由陶瓷构成的绝缘层的两面分别设置有由铜、铝等形成的金属层的构造。半导体装置具备绝缘基板和安装于绝缘基板的一侧的金属层上的多个半导体元件。

发明内容

在绝缘基板中，在绝缘层与金属层之间线膨胀系数不同，所以伴随温度变化而容易产生热应力。在该绝缘基板中可能产生的热应力与绝缘基板的尺寸相应地变大。因而，为了抑制热应力所引起的对绝缘基板的损害而考虑减小绝缘基板的尺寸。然而，在具有多个半导体元件的半导体装置中，与半导体元件的数量相应地，绝缘基板所需的尺寸也变大，在绝缘基板中可能产生的热应力也变大。

鉴于上述实际情况，本说明书提供在具有多个半导体元件的半导体装置中也能够降低在绝缘基板中产生的热应力的技术。

为了解决上述课题，本说明书公开半导体装置。该半导体装置具备：第1绝缘基板，在绝缘层的两面分别设置有金属层；第1半导体元件，配置于第1绝缘基板的一侧的金属层上；第2绝缘基板，在绝缘层的两面分别设置有金属层；第2半导体元件，配置于第2绝缘基板的一侧的金属层上；以及密封体，密封第1半导体元件以及第2半导体元件，第1绝缘基板的另一侧的金属层以及第2绝缘基板的另一侧的金属层在密封体的平坦的第1表面露出。

在现有技术中，针对多个半导体元件采用了单一的绝缘基板。这是因为如果为绝缘基板，则能够在绝缘层上自由地分割金属层的图案，所以无需分割绝缘基板本身。然而，在本技术中，针对多个半导体元件而特意采用了多个绝缘基板。即，在上述半导体装置中设置有第1绝缘基板和第2绝缘基板，在第1绝缘基板上配置有第1半导体元件，在第2绝缘基板上配置有第2半导体元件。第1绝缘基板和第2绝缘基板在密封体的平坦的同一表面露出，处于这样的位置关系的第1绝缘基板和第2绝缘基板在现有技术中由单一的绝缘基板构成。相对于此，在本技术中，特意采用多个绝缘基板，使各个绝缘基板的尺寸小型化，从而降低在绝缘基板中产生的热应力。

附图说明

图1示出实施例的半导体装置10的俯视图。

图2示出实施例的半导体装置10的内部构造。

图3示出图1中的III－III线处的剖视图。

图4示出图1中的IV－IV线处的剖视图。

图5(A)、(B)的各图是下侧绝缘基板26、46的变形例，特别说明金属层36、38的接触面积CA1、CA2的变形例。

图6(A)、(B)的各图是下侧绝缘基板26、46的变形例，特别说明金属层36、38的厚度TH1、TH2的变形例。

图7示出配置于冷却器70之间的半导体装置10。

图8(A)、(B)的各图说明第1导体隔件24的热膨胀所引起的焊料层25的变形。

图9是实施例的半导体装置10的一个变形例，示出采用了共同上侧绝缘基板122的情况。

图10是实施例的半导体装置10的一个变形例，示出采用了共同下侧绝缘基板126的情况。

图11的(A)、(B)的各图是说明实施例的半导体装置10的构造及其采用例子的图。