[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

第1绝缘基板，在绝缘层的两面分别设置有金属层；

第1半导体元件，配置于所述第1绝缘基板的一侧的金属层上；

第2绝缘基板，在绝缘层的两面分别设置有金属层；

第2半导体元件，配置于所述第2绝缘基板的一侧的金属层上；以及

密封体，密封所述第1半导体元件以及所述第2半导体元件，

所述第1绝缘基板的另一侧的金属层以及所述第2绝缘基板的另一侧的金属层在所述密封体的平坦的第1表面露出。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，还具备：

第3绝缘基板，在绝缘层的两面分别设置有金属层；以及

第4绝缘基板，在绝缘层的两面分别设置有金属层，

所述第3绝缘基板隔着所述第1半导体元件而与所述第1绝缘基板相对置，并且一侧的金属层电连接于所述第1半导体元件，

所述第4绝缘基板隔着所述第2半导体元件而与所述第2绝缘基板相对置，并且一侧的金属层电连接于所述第2半导体元件，

所述第3绝缘基板的另一侧的金属层以及所述第4绝缘基板的另一侧的金属层在所述密封体的位于与所述第1表面相反一侧的平坦的第2表面露出。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，还具备：

第1导体隔件，配置于所述第1半导体元件与所述第3绝缘基板之间；以及

第2导体隔件，配置于所述第2半导体元件与所述第4绝缘基板之间，

所述第1导体隔件以及所述第2导体隔件的各线膨胀系数比所述第1绝缘基板以及所述第2绝缘基板的所述金属层的线膨胀系数小，且比所述密封体的线膨胀系数小。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

所述第1绝缘基板以及所述第2绝缘基板的所述金属层的材料为铜，

所述第1导体隔件以及所述第2导体隔件的材料为铜-钼合金或者铜-钨合金。

5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体装置，其中，

在所述第1绝缘基板和所述第2绝缘基板中的至少一方，所述一侧的金属层的厚度比所述另一侧的金属层的厚度大。

6.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体装置，其中，

在所述第1绝缘基板和所述第2绝缘基板中的至少一方，所述另一侧的金属层的厚度比所述一侧的金属层的厚度大。

7.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体装置，其中，

在所述第1绝缘基板和所述第2绝缘基板中的至少一方，所述一侧的金属层的厚度与所述另一侧的金属层的厚度相等。

8.根据权利要求1至7中的任意一项所述的半导体装置，其中，

所述第1绝缘基板和所述第2绝缘基板中的至少一方为DBC基板。