[发明专利]芯片结构、及其封装方法以及电子设备在审
| 申请号： | 201810792234.2 | 申请日： | 2018-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN108735708A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 易泓历 | 申请（专利权）人： | 北京比特大陆科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100192 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 焊盘 晶元 边框 电路基板 电子设备 芯片结构 映射 封装 芯片 封装过程 受力不均 芯片生产 良率 裂片 横跨 保证 | ||
1.一种芯片结构，该芯片包括晶元(DIE)和电路基板，电路基板包括第一焊盘(VSS)、第二焊盘(VDDS)和第三焊盘(VDDM)，其特征在于，所述晶元(DIE)布置在第一焊盘(VSS)上，晶元(DIE)在第一焊盘(VSS)的映射面在第一焊盘(VSS)边框内。
2.如权利要求求1所述的芯片结构，其特征在于，所述电路基板进一步包括绝缘层、金属层，其中：所述绝缘层的第一面上设置有所述金属层，所述绝缘层背离所述金属层的第二面上分别设置有所述第一焊盘(VSS)、第二焊盘(VDDS)和第三焊盘(VDDM)。
3.如权利要求求2所述的芯片结构，其特征在于，所述第一焊盘为所述电路基板的电源输出焊盘，为晶元(DIE)的接地端，所述第二焊盘(VDDS)和第三焊盘(VDDM)为所述电路基板的电源输入焊盘，为晶元(DIE)的电源端。
4.如权利要求1～3所述的芯片结构，其特征在于，所述第二焊盘(VDDS)和第三焊盘(VDDM)位于所述第一焊盘(VSS)的对称两侧。
5.如权利要求1～3所述的芯片结构，其特征在于，所述电路基板进一步包括第四焊盘，其中：
所述第二焊盘(VDDS)和第三焊盘(VDDM)位于所述第一焊盘(VSS)的对称两侧；
所述第四焊盘设置在所述第一焊盘(VSS)的剩余两侧中的一侧。
6.如权利要求1～3所述的芯片结构，其特征在于，所述金属层上的各个焊点与所述晶元上的各个焊点一一对应连接。
7.一种电子设备，其特征在于，包括电子设备本体以及权利要求1-6任一项所述的芯片。
8.一种芯片封装方法，电路基板包括第一焊盘(VSS)、第二焊盘(VDDS)和第三焊盘(VDDM)，其特征在于，将晶元(DIE)安装在第一焊盘(VSS)上，晶元(DIE)在第一焊盘(VSS)的映射面在第一焊盘(VSS)边框内；将晶元(DIE)进行膜封。
9.如权利要求求8所述的方法，其特征在于，所述电路基板进一步包括绝缘层、金属层，其中：所述绝缘层的第一面上设置有所述金属层，所述绝缘层背离所述金属层的第二面上分别设置有所述第一焊盘(VSS)、第二焊盘(VDDS)和第三焊盘(VDDM)。
10.如权利要求求9所述的方法，其特征在于，所述第一焊盘为所述电路基板的电源输出焊盘，为晶元(DIE)的接地端，所述第二焊盘(VDDS)和第三焊盘(VDDM)为所述电路基板的电源输入焊盘，为晶元(DIE)的电源端。
11.如权利要求8～10所述的方法，其特征在于，所述第二焊盘(VDDS)和第三焊盘(VDDM)位于所述第一焊盘(VSS)的对称两侧。
12.如权利要求8～10所述的方法，其特征在于，所述电路基板进一步包括第四焊盘，其中：
所述第二焊盘(VDDS)和第三焊盘(VDDM)位于所述第一焊盘(VSS)的对称两侧；
所述第四焊盘设置在所述第一焊盘(VSS)的剩余两侧中的一侧。
13.如权利要求8～10所述的方法，其特征在于，所述金属层上的各个焊点与所述晶元上的各个焊点一一对应连接。
14.一种芯片结构，该芯片包括晶元(DIE)和电路基板，电路基板包括第一焊盘(VDD)、第二焊盘(VSS)，其特征在于，所述晶元(DIE)布置在第二焊盘(VSS)，晶元(DIE)在第二焊盘(VSS)的映射面在第二焊盘(VSS)边框内。
15.如权利要求14所述的芯片结构，其特征在于，所述第一焊盘(VDD)、的面积小于所述第二焊盘(VSS)。
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