[发明专利]芯片切割方法及芯片切割装置有效
| 申请号： | 201810867243.3 | 申请日： | 2018-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN110797272B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 李伟 | 申请（专利权）人： | 上海祖强能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67;H01L21/78;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 | 代理人： | 田俊峰 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种芯片切割方法及芯片切割装置，涉及芯片切割技术领域，本发明提供的芯片切割方法包括测量晶元厚度；根据测量的晶元厚度，在晶元内部聚焦打点；测量晶元厚度包括利用测量光束从晶元的一侧照射晶元的正面和背面；接收从晶元的正面反射的正面反射光和从晶元的背面反射的背面反射光；根据接收到正面反射光和背面反射光的时间差，计算出晶元的厚度。本发明提供的芯片切割方法缓解了相关技术中测量晶元厚度精度较低的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 切割 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种芯片切割方法，其特征在于，包括：/n测量晶元厚度；/n根据测量的晶元厚度，在晶元内部聚焦打点；/n测量晶元厚度包括利用测量光束从所述晶元的一侧照射所述晶元；/n接收从所述晶元的正面反射的正面反射光和从所述晶元的背面反射的背面反射光；/n根据接收到所述正面反射光和所述背面反射光的时间差，计算出所述晶元的厚度。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
