[发明专利]半导体存储器装置及其操作方法

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：

存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括多个存储器单元；

电压生成电路，所述电压生成电路被配置为生成用于编程操作的编程电压、通过电压、多个验证电压以及多个负电压；

行解码器，所述行解码器被配置为将所述编程电压、所述通过电压和所述多个验证电压施加到所述存储器单元阵列的字线；

读/写电路，所述读/写电路联接到所述存储器单元阵列的位线，所述读/写电路在所述编程操作中临时存储要被编程的数据，然后根据临时存储的所述数据控制所述位线的电位电平；以及

负电压切换电路，所述负电压切换电路被配置为将所述多个负电压施加到所述位线，

其中，在所述编程操作期间，所述行解码器通过在向所述字线当中的选定的字线施加所述编程电压之后施加所述多个验证电压当中的仅一些验证电压来执行验证操作，

其中，在所述验证操作期间，所述读/写电路感测所述位线的电位电平或电流量以检测所述多个存储器单元当中具有比所述一些验证电压高的阈值电压的存储器单元，并且

其中，当作为所述验证操作的结果，至少一个存储器单元的阈值电压高于所述一些验证电压时，所述负电压切换电路中断施加到所述位线的所述多个负电压。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述负电压切换电路还被配置为：

将所述多个负电压中的第一负电压施加到所述位线中的第一位线，所述第一位线联接到所述多个存储器单元中的与所述行解码器相邻设置的第一组存储器单元；并且

将所述多个负电压中的第二负电压施加到所述位线中的第二位线，所述第二位线联接到所述多个存储器单元中的被设置为比所述第一组存储器单元更加远离所述行解码器的第二组存储器单元，

其中，所述第一负电压比所述第二负电压负得多。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述位线被分组为多个位线组，并且

所述负电压切换电路还被配置为将所述多个负电压当中的不同负电压施加到所述多个位线组中的每一个。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述读/写电路包括与所述位线对应的多个页面缓冲器，

其中，所述多个页面缓冲器中的每一个包括锁存器，所述锁存器被配置为在所述编程操作中临时存储要被编程的数据，并且在编程验证操作中基于所述位线中的对应位线的电位电平和临时存储的所述数据来存储与验证结果对应的验证数据。

5.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述多个页面缓冲器

根据所述验证数据或存储在所述锁存器中的数据向所述位线施加编程许可电压或编程禁止电压，并且

生成并输出与所述锁存器的节点值对应的锁存信号。

6.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，其中，所述负电压切换电路还被配置为响应于所述锁存信号而向所述位线施加或中断所述多个负电压。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述电压生成电路包括负电压生成电路，所述负电压生成电路被配置为生成所述多个负电压，

其中，所述负电压生成电路和所述负电压切换电路在所述编程操作期间的盲编程操作中被激活以将所述多个负电压施加到所述位线，并且

其中，所述负电压生成电路和所述负电压切换电路在所述盲编程操作之后的正常编程操作中未被激活。