[发明专利]功率元件封装结构在审
申请号: | 201810705639.8 | 申请日: | 2018-07-02 |
公开(公告)号: | CN110676225A | 公开(公告)日: | 2020-01-10 |
发明(设计)人: | 蔡欣昌;刘敬文 | 申请(专利权)人: | 朋程科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/14 | 分类号: | H01L23/14 |
代理公司: | 11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人: | 吴志红;臧建明 |
地址: | 中国台湾桃园市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 第一基板 第二基板 功率元件 封装体 热容量 封装结构 热导率 配置 封装 | ||
本发明提供一种功率元件封装结构,包括第一基板、第二基板、至少一功率元件以及封装体。第一基板的热导率大于200Wm‑1K‑1。功率元件配置于第一基板上。第二基板配置于第一基板下方。第二基板的热容量(heat capacity)大于第一基板的热容量。封装体封装第一基板、第二基板与功率元件。
技术领域
本发明涉及一种封装结构,尤其涉及一种功率元件封装结构。
背景技术
功率元件封装结构可用于整流器、车用发电机、大功率模块发电机。车用发电机的技术领域中,为进行交流-直流间的转换动作,常通过设置整流桥的方式来进行。整流桥可以由功率元件来构成,并用以提供整流后的电压以作为驱动负载的依据。
当发电机的负载被瞬间移除时,会产生所谓的抛载(load dump)现象。当抛载现象发生时,由于电压振幅会瞬间变化,在功率元件上产生瞬间高热,使得功率元件的接面温度(junction temperature)瞬间上升,而可能导致功率元件封装结构的损毁。
然而,目前功率元件封装结构的设计,大多是以降低封装结构在稳态使用下的热阻为目的,亦即为降低封装结构的稳态热阻为主,对于与瞬间高热量相关的瞬态热阻,并无适当的解决方案。
发明内容
本发明提供一种功率元件封装结构,除了可降低功率元件封装结构的稳态热阻,同时可使得功率元件封装结构的瞬态热阻降低。
本发明的功率元件封装结构,包括第一基板、第二基板、至少一功率元件以及封装体。其中,第一基板的热导率大于200Wm-1K-1。功率元件配置于第一基板上。第二基板配置于第一基板下方,且第二基板的热容量(heat capacity)大于第一基板的热容量。封装体则封装第一基板、第二基板与功率元件。
在本发明的一实施例中,上述的第一基板的材料是选自包括铜、铝、金、银、金刚石或石墨烯及其合金化合物的其中一种材料。
在本发明的一实施例中,上述的第二基板的材料是选自包括铜、铝、锂、金刚石或石墨烯及其合金化合物中的其中一种材料。
在本发明的一实施例中,上述的第二基板的厚度大于第一基板的厚度。
在本发明的一实施例中,上述的第二基板的体积大于第一基板的体积。
在本发明的一实施例中,上述的第二基板的投影面积小于或等于封装体的投影面积。
在本发明的一实施例中,上述第一基板的材料为铜,且其热容量大于或等于0.5J·℃-1。
在本发明的一实施例中,上述第二基板的材料为铝,且其热容量大于或等于1.43J·℃-1。
在本发明的一实施例中,上述第二基板的热容量大于或等于0.5J·℃-1。
在本发明的一实施例中,上述的部分第二基板露出于封装体外。
在本发明的一实施例中,上述的第二基板配置于功率元件的正下方。
在本发明的一实施例中,上述的第一基板与第二基板直接接触。
在本发明的一实施例中,上述的功率元件封装结构为车用功率元件封装结构。
在本发明的一实施例中,上述的功率元件封装结构还可包括控制IC或电路元件,设置于第一基板上。
基于上述,本发明通过热容量较高的第二基板搭配热导率大的第一基板,可降低功率元件封装结构的稳态热阻,还可降低功率元件封装结构的瞬态热阻,提高封装结构对抛载、短路等暂态负载的处理能力。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朋程科技股份有限公司,未经朋程科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810705639.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:放大器芯片封装结构及制作方法
- 下一篇:密封用片和电子元件装置的制造方法