[发明专利]半导体设备

权利要求书

1.一种半导体设备，包括：

存储器区域，布置在半导体衬底中；以及

电容元件区域，布置在所述半导体衬底中，

其中所述存储器区域中的存储器单元包括：

多个第一突出部，由所述半导体衬底的部分形成，每个所述第一突出部均在第一方向上从所述半导体衬底的主面突出并且在第二方向上具有宽度，所述第一突出部在与所述第二方向相交的第三方向上延伸并且沿着所述第二方向布置；

多个第一栅电极，每个所述第一栅电极均布置有夹置在所述第一突出部和所述第一栅电极之间的第一栅极绝缘膜，所述第一栅电极在所述第二方向上延伸并且沿着所述第三方向布置；

多个第二栅电极，每个所述第二栅电极均布置有夹置在所述第一突出部和所述第二栅电极之间的第二栅极绝缘膜，每个所述第二栅电极经由所述第二栅极绝缘膜与每个所述第一栅电极的侧面相邻，所述第二栅电极在所述第二方向上延伸并且沿着所述第三方向布置；以及

第一半导体区域和第二半导体区域，设置在所述第一突出部中，以经由所述第二栅极绝缘膜在它们之间夹置彼此相邻的所述第一栅电极和所述第二栅电极，

其中所述电容元件区域中的电容元件包括：

多个第二突出部，由所述半导体衬底的部分形成，每个所述第二突出部均在所述第一方向上从所述半导体衬底的主面突出并且在所述第二方向上具有宽度，所述第二突出部在所述第三方向上延伸并且沿着所述第二方向布置；

多个第一电容器电极，每个所述第一电容器电极均布置有夹置在所述第二突出部和所述第一电容器电极之间的绝缘膜，所述第一电容器电极在所述第二方向上延伸并且沿着所述第三方向布置；以及

多个第二电容器电极，每个所述第二电容器电极均布置有夹置在所述第二突出部和所述第二电容器电极之间的电容绝缘膜，每个所述第二电容器电极均经由所述电容绝缘膜与每个所述第一电容器电极的侧面相邻，所述第二电容器电极在所述第二方向上延伸并且沿着所述第三方向布置，

其中所述第一栅电极和所述第一电容器电极由第一导电膜形成，

其中所述第二栅电极和所述第二电容器电极由第二导电膜形成，并且

其中相邻的所述第二突出部之间的距离小于相邻的所述第一突出部之间的距离。

2.根据权利要求1所述的半导体设备，

其中所述第二突出部之间的距离是所述电容绝缘膜的厚度的三倍以上。

3.根据权利要求1所述的半导体设备，

其中相邻的所述第一电容器电极之间的距离小于相邻的所述第一栅电极之间的距离。

4.根据权利要求3所述的半导体设备，

其中相邻的所述第一电容器电极之间的距离是所述电容绝缘膜的厚度的三倍以上。

5.根据权利要求1所述的半导体设备，

其中所述第一电容器电极在所述第三方向上的宽度小于所述第一栅电极在所述第三方向上的宽度。

6.根据权利要求1所述的半导体设备，

其中布置在相邻的所述第二突出部之间的所述第二电容器电极在所述第一方向上的长度长于布置在相邻的所述第一突出部之间的所述第二栅电极在所述第一方向上的长度。

7.根据权利要求6所述的半导体设备，

其中所述第二电容器电极的第一部分经由所述电容绝缘膜设置在布置于相邻的所述第二突出部之间的所述第一电容器电极与面对所述第一电容器电极的底面的所述半导体衬底之间。

8.根据权利要求7所述的半导体设备，

其中其间夹置有所述第一电容器电极的彼此相邻的所述第二电容器电极经由所述第一部分电耦合。

9.根据权利要求1所述的半导体设备，

其中所述第二突出部的突出端部是锥形的。