[发明专利]半导体晶体移除设备和半导体晶体的产生方法有效
申请号: | 201310254899.5 | 申请日: | 2013-06-25 |
公开(公告)号: | CN103510155A | 公开(公告)日: | 2014-01-15 |
发明(设计)人: | 山崎史郎;永井诚二;守山实希 | 申请(专利权)人: | 丰田合成株式会社 |
主分类号: | C30B19/00 | 分类号: | C30B19/00;C30B29/38;C30B33/00;C30B35/00;H01L21/208 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 陈炜;李德山 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 公开了半导体晶体移除设备和半导体晶体的产生方法。本发明提供了一种半导体晶体移除设备,该半导体晶体移除设备通过固化的熔剂的快速熔化而实现从坩锅有效移除半导体晶体;并且提供了一种用于产生半导体晶体的方法。所述半导体晶体移除设备包括:坩锅支撑件,用于支撑所述坩锅,使得所述坩锅的开口被定向为朝下;加热器,用于加热所述坩锅支撑件上支撑的所述坩锅;以及半导体晶体接纳网,用于接纳从所述坩锅的开口跌落的所述半导体晶体。所述半导体晶体移除设备进一步包括确定部,用于基于因所述半导体晶体的跌落而导致的重量的改变来确定所述半导体晶体的移除。 | ||
搜索关键词: | 半导体 晶体 设备 产生 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体晶体移除设备,用于从坩锅移除III族氮化物半导体晶体,所述晶体已经通过熔剂法而在所述坩锅中产生,所述半导体晶体移除设备包括:坩锅支撑单元,用于支撑所述坩锅,使得所述坩锅的开口被定向为朝下;加热单元,用于加热借助于所述坩锅支撑单元支撑的所述坩锅;以及半导体晶体接纳单元,用于接纳从所述坩锅的开口跌落的所述半导体晶体。
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