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[发明专利]非易失性半导体存储装置的制造方法和非易失性半导体存储装置-CN200910008039.7无效
发明人：木村绅一郎;岛本泰洋;久本大 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2009-02-19 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性半导体存储装置的制造方法及非易失性半导体存储装置。在同一硅衬底1上包括具有控制栅电极(CGs)和侧壁存储栅电极(MGs)的分裂栅型存储单元(M1A)、具有单存储栅电极(MGu)的单栅极型存储单元(M2)的非易失性半导体存储装置中，在第一区域(R1)隔着控制栅电极(ICs)形成控制栅电极(CGs)，在第一区域(R1)隔着电荷积蓄膜(IMs)形成侧壁存储栅电极(MGs)，同时在第二区域(R2)隔着电荷积蓄膜(IMs)形成单存储栅电极(MGu)。此时，侧壁存储栅电极(MGs)和单存储栅电极(MGu)由同一工序形成，控制栅电极(CGs)和侧壁存储栅电极(MGs)以电绝缘的状态相邻地配置。
非易失性半导体存储装置制造方法

[发明专利]存储器结构及其制造方法-CN201610882995.8有效
发明人：胡志玮;叶腾豪 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2016-10-10 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储器结构及其制造方法。该存储器结构包括多个存储器区段。存储器区段各包括存储器阵列区、存储器选择区、半导体栅电极、半导体通道、栅介电层、栅电极层与通道层。存储器选择区邻近存储器阵列区。半导体通道连接半导体栅电极。栅电极层与半导体通道位于存储器选择区中。栅电极层通过栅介电层分开自半导体通道。通道层与半导体栅电极位于存储器阵列区中。通道层通过栅介电层分开自半导体栅电极。
半导体通道栅电极存储器阵列区存储器选择半导体栅电极层栅介电层通道层存储器结构存储器区段邻近制造

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200710092268.2有效
发明人：鸟羽功一;石井泰之;川岛祥之;町田悟;中川宗克;桥本孝司 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2007-04-03 - 公布日： 2007-10-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件，其在半导体衬底上方具有彼此接近并构成非易失性存储器的控制栅电极和存储栅电极。存储栅电极的高度低于控制栅栅电极的高度。金属硅化物膜形成在控制栅电极的上表面上方，但不形成在存储栅电极的上表面上方。存储栅电极在其上表面上方具有由氧化硅制成的侧壁绝缘膜。该侧壁绝缘膜在用于在存储栅电极和控制栅电极的侧壁上方形成相应侧壁绝缘膜的同一步骤中形成。本发明使得可以提高具有非易失性存储器的半导体器件的产品成品率和性能。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201710811212.1在审
发明人：吉富敦司;川岛祥之 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2017-09-11 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：提高具有非易失性存储器的半导体器件的可靠性和性能。控制栅电极经由第一绝缘膜形成在半导体衬底上。存储器栅电极经由具有电荷积累部的第二绝缘膜形成在半导体衬底上。第二绝缘膜横跨半导体衬底和存储器栅电极之间以及控制栅电极和存储器栅电极之间地形成。在控制栅电极和存储器栅电极之间，第三绝缘膜形成在第二绝缘膜和存储器栅电极之间。第三绝缘膜未形成在存储器栅电极之下。存储器栅电极的一部分存在于第三绝缘膜的下端面之下。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法和半导体装置-CN201710726739.4有效
发明人：三原竜善 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2017-08-23 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：形成虚设控制栅电极(DG)和存储器栅电极(MG)，以覆盖它们的方式形成层间绝缘膜(IL1)后，研磨层间绝缘膜(IL1)使虚设控制栅电极(DG)和存储器栅电极(MG)露出。之后，通过蚀刻去除虚设控制栅电极(DG)后，在作为去除了虚设控制栅电极(DG)的区域的槽内形成控制栅电极。虚设控制栅电极(DG)由非掺杂或n型的硅膜构成，存储器栅电极(MG)由p型的硅膜构成。在去除虚设控制栅电极(DG)的工序中，在虚设控制栅电极(DG)和存储器栅电极(MG)露出的状态下，在存储器栅电极(MG)比虚设控制栅电极(DG)不易被蚀刻的条件下进行蚀刻，去除虚设控制栅电极(DG)。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201710679467.7有效
发明人：川岛祥之;井上真雄;吉富敦司 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2017-08-10 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：一种存储单元，其包括控制栅电极和存储栅电极。控制栅电极被形成在包括半导体衬底一部分的鳍FA的上表面和侧壁上方。存储栅电极在相邻于控制栅电极的一个侧表面的位置中通过ONO膜被形成在控制栅电极的一个侧表面以及鳍的上表面和侧壁上方。而且，控制栅电极和存储栅电极由n型多晶硅形成。第一金属膜被设置在栅电极和控制栅电极之间。第二金属膜被设置在ONO膜和存储栅电极之间。第一金属膜的功函数大于第二金属膜的功函数。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]具备电极的半导体器件及该半导体器件的制造方法-CN200710002160.X无效
发明人：冈崎勉;芦田基;小崎浩司;古贺刚;冈田大介 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2007-01-04 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：半导体器件的制造方法包含：隔着控制栅绝缘膜(4)形成控制栅电极(5)的第1电极形成工序；以及在半导体衬底(1)的表面上形成存储节点绝缘膜(6)的工序。包含在存储节点绝缘膜(6)的表面上形成存储栅电极的第2电极形成工序。第2电极形成工序包含：在存储节点绝缘膜(6)的表面上形成存储栅电极层(7a)的工序；在存储栅电极层(7a)的表面上形成刻蚀速度比存储栅电极层(7a)慢的辅助膜(8)的工序；以及对存储栅电极层(7a)和辅助膜
具备电极半导体器件制造方法

[发明专利]半导体存储器以及用于制造半导体存储器的方法-CN200710084908.5无效
发明人：水上诚;木下繁;高木茂行 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2007-02-16 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种半导体存储器包括：第一存储单元晶体管和第二存储单元晶体管，其中，第一存储单元晶体管包括：第一浮置栅电极，设置在衬底上并与该衬底隔离；和第一控制栅电极，设置在第一浮置栅电极上并与该第一浮置栅电极隔离，而第二存储单元晶体管：第二浮置栅电极，设置在衬底上并与该衬底隔离，其上表面大于下表面，并且上表面低于第一浮置栅电极的上表面；以及第二控制栅电极，设置在第二浮置栅电极上并与该第二浮置栅电极隔离。
半导体存储器以及用于制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201510845866.7有效
发明人：三原龙善 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2015-11-26 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件及其制造方法，改进具有非易失性存储器的半导体器件的可靠性和性能。经由第一绝缘膜在半导体衬底上方形成选择栅电极。在选择栅电极的相对侧表面上方，形成侧壁绝缘膜的第二绝缘膜。在半导体衬底上方，经由具有电荷积累部的第三绝缘膜形成存储器栅电极。选择栅电极和存储器栅电极经由第二绝缘膜和第三绝缘膜彼此邻近。第二绝缘膜布形成在存储器栅电极的下方。插入在选择栅电极和存储器栅电极之间的第二绝缘膜和第三绝缘膜的总厚度大于插入在半导体衬底和存储器栅电极之间的第三绝缘膜的厚度。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]液晶显示器件的阵列基板及其制造方法-CN200610087264.0有效
发明人：郑镇型 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2006-06-14 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：本发明涉及一种液晶显示器件的阵列基板，包括：在基板上的栅线和第一存储电极；在栅线和第一存储电极上的栅绝缘层；在栅绝缘层上的数据线，该数据线与栅线交叉，从而确定了像素区域；在数据线上的钝化层，其中第一存储电极上的钝化层和栅绝缘层的第一厚度比栅线上的钝化层和栅绝缘层的第二厚度薄；以及在钝化层上的像素电极和第二存储电极，第二存储电极从像素电极延伸并与第一存储电极交迭。
液晶显示器件阵列及其制造方法

[发明专利]改进的存储式离子迁移率谱仪及其控制方法-CN200710044765.5有效
发明人：张延会;赵文渊;孙刚;张燊 -专利权人：上海新漫传感技术研究发展有限公司
申请日： 2007-08-10 - 公布日： 2009-02-11 - 主分类号： G01N27/64 文献下载
摘要：一种存储式离子迁移率谱仪，包括电离区和漂移区，在该电离区和漂移区之间设置有离子存储区。该离子存储区包括第一栅网电极、电离腔、第二栅网电极和第三栅网电极，该第一栅网电极置于电离腔前，该第二栅网电极置于电离腔后，第三栅网置于第二栅网电极后、漂移区前。所述第一栅网电极可为栅网状，第二栅网电极可为圆环形栅极，第三栅网电极可为丝网状。本发明采用离子存储结构取代离子门，具有存储离子的功能，样品离子产生后，在脉冲关闭期间，样品离子被限制在离子存储区，而不是直接打到离子门上损失掉，通过在电离腔和第三栅网电极上加电压脉冲使离子存储后进入漂移区
改进存储离子迁移率及其控制方法

[发明专利]固态图像拾取装置和图像拾取系统-CN201610218783.X有效
发明人：小林昌弘;山下雄一郎;大贯裕介 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2012-05-22 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：固态图像拾取装置包括均设置在半导体基板中的光电转换单元、电荷存储单元、浮置扩散单元、第一栅电极和第二栅电极。电荷存储单元存储在光电转换单元中产生的电荷。该电荷被传送至浮置扩散单元。第一栅电极在光电转换单元与电荷存储单元之间和电荷存储单元之上延伸，第二栅电极在电荷存储单元与浮置扩散单元之间延伸。固态图像拾取装置还包括遮光部件，设置在第一栅电极和电荷存储单元之上且在第一栅电极与第二栅电极之间。遮光部件的底表面的在第一栅电极与第二栅电极之间且在半导体基板的表面之上的部分比该底表面的在第一栅电极之上的另一部分距半导体基板的表面更近。
固态图像拾取装置系统

[发明专利]连接存储栅存储单元及其操作和制造方法-CN201410601526.5在审
发明人：骆志炯 -专利权人：骆志炯
申请日： 2014-10-30 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开提供了一种连接存储栅存储单元及其操作和制造方法。一示例存储单元可以包括：存储晶体管，包括在衬底上形成的栅堆叠，所述栅堆叠包括依次堆叠的存储栅介质、存储栅电极、控制栅介质和控制栅电极；以及辅助晶体管，包括在衬底上形成的栅堆叠以及位于栅堆叠相对两侧的源/漏区，其中，存储晶体管的存储栅电极连接到辅助晶体管的源/漏区之一。
连接存储单元及其操作制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200710006940.1有效
发明人：町田悟;石井泰之;工藤敏生;高桥雅人;铃木征洋 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2007-01-31 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种存储单元，具有：控制栅电极，通过栅绝缘膜布置在半导体衬底的主表面上；ONO膜，沿控制栅电极的侧表面和半导体衬底的主表面布置；存储栅电极，通过ONO膜布置在控制栅电极的侧表面上和半导体衬底的主表面上。使控制栅电极和存储栅电极在其上部上方分别形成有硅化物膜和通过使硅化物膜的表面氧化而形成的绝缘膜。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]显示装置-CN201710218429.1有效
发明人：宋在晋;金润暲;白承洙;慎昌宰;李瑟琵 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2017-04-05 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：本发明提供一种显示装置，该显示装置包括多个像素，该多个像素中的至少一个包括像素电极、开关、存储电极和存储器件连接部分。像素电极在对应于第一栅线、第二栅线、第一数据线和第二数据线的像素区域中。开关连接到第一栅线、第一数据线和像素电极。存储电极邻近于像素电极。存储电极连接部分连接到存储电极并交叠第一栅线和第二栅线中的至少一条。存储电极连接部分的至少一部分基本上平行于第一栅线和第二栅线中的被交叠的所述至少一条。
显示装置

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