[发明专利]半导体发光器件在审
| 申请号： | 201810343598.2 | 申请日： | 2013-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN108550672A | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 全水根;朴恩铉;金勈德 | 申请（专利权）人： | 世迈克琉明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/32;H01L33/38;H01L33/42;H01L33/44;H01L33/46;H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 吕俊刚;刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体层 不导电 反射膜 半导体发光器件 空穴 第二电极 第一电极 分支电极 双层结构 衬底 源层 分布式布拉格反射器 电介质膜 顺序生长 折射率比 生长 电连接 反射光 折射率 覆盖 | ||
1.一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：
在生长衬底上顺序生长的多个半导体层，其中所述多个半导体层包括具有第一导电性的第一半导体层、具有不同于所述第一导电性的第二导电性的第二半导体层、以及介于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的经由电子-空穴复合产生光的有源层；
第一电极，所述第一电极向所述第一半导体层提供电子和空穴中的一个；
第二电极，所述第二电极向所述第二半导体层提供电子和空穴中的另一个；
不导电反射膜，所述不导电反射膜形成在所述第二半导体层上，用于从所述有源层向在所述生长衬底侧的所述第一半导体层反射光，且所述不导电反射膜具有双层结构，该双层结构包括分布式布拉格反射器和折射率比所述第二半导体层的折射率低的电介质膜；以及
分支电极，所述分支电极在所述多个半导体层与所述不导电反射膜之间被所述不导电反射膜覆盖，且与所述第一电极和所述第二电极中的一个电连接。
2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述第一电极形成在所述不导电反射膜上。
3.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中，所述分支电极与所述第二电极连接，所述分支电极在所述第一电极的下面延伸。
4.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中，所述分支电极与所述第一电极连接，所述分支电极在所述第二电极的下面延伸。
5.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中，该半导体发光器件具有通过去除所述第二半导体层和所述有源层的一部分而露出了所述第一半导体层的接触区，
所述分支电极形成在所述接触区内的所述第一半导体层上。
6.根据权利要求5所述的半导体发光器件，其中，所述接触区被所述有源层和所述第二半导体层封闭和阻挡。
7.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述不导电反射膜具有通过化学气相沉积法形成的电介质膜和通过物理气相沉积形成的分布式布拉格反射器。
8.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述不导电反射膜的边缘处的倾斜面为角反射器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于世迈克琉明有限公司，未经世迈克琉明有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810343598.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体发光器件
- 下一篇：图形化衬底、外延片及其制作方法
