[发明专利]半导体发光器件

说明书

本公开涉及一种半导体发光器件，包括：在生长衬底上顺序生长的多个半导体层，其中所述多个半导体层包括具有第一半导体层、第二导电性的第二半导体层、以及有源层；向所述第一半导体层提供电子和空穴中的一个的第一电极；向所述第二半导体层提供电子和空穴中的另一个的第二电极；以及形成在所述第二半导体层上，用于从所述有源层向在所述生长衬底侧的所述第一半导体层反射光，且具有分布式布拉格反射器和作为所述不导电反射膜的边缘处的倾斜面的角反射器的不导电反射膜，所述倾斜面对以倾斜角入射在所述不导电反射膜上而向所述分布式布拉格反射器的横向表面传播的光进行反射，所述第一电极和所述第二电极位于所述不导电反射膜上。

本申请是申请日为2013年7月18日，申请号为201380004181.9，发明名称为“半导体发光器件”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本公开(disclosure)总体上涉及半导体发光器件，并且更具体地，涉及一种具有光反射面的半导体发光器件。

在本文的上下文，术语“半导体发光器件”指的是经由电子-空穴复合来产生光的半导体光学器件，并且一个示例是III族氮化物半导体发光器件。III族氮化物半导体由含Al(_x)Ga(_y)In_(1-x-y)N(其中，0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)的化合物组成。其另一个示例是用于红光发射的GaAs基半导体发光器件。

背景技术

这部分提供与本公开有关的背景信息，其不一定是现有技术(This sectionprovides background information related to the present disclosure which isnot necessarily prior art)。

图1是例示在美国专利No.7,262,436中提出的半导体发光器件的示例。该半导体发光器件包括：衬底100；在衬底100上生长的n型半导体层300；在n型半导体层300上生长的有源层400；在有源层400上生长的p型半导体层500；形成在p型半导体层500上的电极901、902和903(同时充当反射膜)；以及形成在已经蚀刻并且露出的n型半导体层300上的n侧结合垫800。n型半导体层300和p型半导体层500可具有相反的导电类型。优选地，在衬底100和n型半导体层300之间设置有缓冲层(未示出)。具有该结构的芯片(即，所有的电极901、902和903以及n侧结合垫800被形成在衬底100的相对侧，电极901、902和903充当反射膜)被称为倒装芯片(flip-chip)。电极901、902和903由如下各项组成：具有高反射率的电极901(例如，Ag)；用于结合的电极903(例如，Au)；以及用于防止电极901的材料和电极903的材料之间的扩散的电极902(例如，Ni)。虽然该金属反射膜结构具有高反射率并且有利于电流扩展，但是其具有金属吸收光的缺点。

图2是例示在日本特开No.2006-120913中提出的半导体发光器件的示例的图。该半导体发光器件包括：衬底100；在衬底100上生长的缓冲层；在缓冲层200上生长的n型半导体层300；在n型半导体层300上生长的有源层400；在有源层400上生长的p型半导体层500；形成在p型半导体层500上的具有电流扩展功能的透光导电膜600；形成在透光导电膜600上的p侧结合垫700；以及形成在已经蚀刻并且露出的n型半导体层300上的n侧结合垫800。此外，在透光导电膜600上设置有DBR(Distributed Bragg Reflector，分布式布拉格反射器)900和金属反射膜904。虽然该结构减少金属反射膜904的光吸收，但是其具有如下缺点：与使用电极901、902和903相比，电流扩展相对差。