[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

说明书

本发明提供一种阵列基板，包括薄膜晶体管和遮光层，所述薄膜晶体管包括有源层，所述有源层具有相对的顶面和底面，所述遮光层包括遮光底壁和遮光侧壁，所述遮光侧壁的底端与所述遮光底壁相连，所述遮光底壁与所述有源层的底面相对设置，所述遮光侧壁环绕所述有源层。相应地，本发明还提供一种阵列基板的制作方法和显示装置。本发明能够减少有源层受到的光照，提高薄膜晶体管的稳定性。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

薄膜晶体管是有源矩阵显示装置中的重要半导体器件，在大尺寸显示装置中，顶栅型薄膜晶体管因其比底栅型薄膜晶体管具有更高的开口率和更稳定的特性而受到关注。由于薄膜晶体管的有源层(尤其是氧化物半导体形成的有源层)在受到光照时会降低薄膜晶体管的稳定性，因此，目前顶栅型薄膜晶体管的有源层下方通常设置有金属遮光层，但是，遮光层与有源层之间往往还设置有缓冲层，加上周围的金属布线非常密集，从而造成遮光层难以完全遮挡周围区域所反射的光，进而导致薄膜晶体管的稳定性降低。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，以提高薄膜晶体管的稳定性。

为了解决上述技术问题之一，本发明提供一种阵列基板，包括薄膜晶体管和遮光层，所述薄膜晶体管包括有源层，所述有源层具有相对的顶面和底面，所述遮光层包括遮光底壁和遮光侧壁，所述遮光侧壁的底端与所述遮光底壁相连，所述遮光底壁与所述有源层的底面相对设置，所述遮光侧壁环绕所述有源层。

优选地，所述遮光层为绝缘层。

优选地，所述遮光层的材料包括氧化铜、氧化亚铜和过氧化银中的至少一种。

优选地，所述阵列基板还包括衬底，所述薄膜晶体管设置在所述衬底上，所述衬底上设置有凹槽，所述有源层位于所述凹槽内，所述衬底的与所述凹槽内壁相邻接的部分形成为所述遮光层；

所述薄膜晶体管还包括栅极，所述栅极位于所述有源层背离所述遮光底壁的一侧，并与所述有源层绝缘间隔。

相应地，本发明还提供一种阵列基板的制作方法，包括：

形成包括遮光层的图形，所述遮光层包括遮光底壁和遮光侧壁，所述遮光侧壁的底端与所述遮光底壁相连；

形成包括薄膜晶体管的有源层的图形，所述有源层具有相对的顶面和底面，所述有源层的底面与所述遮光底壁相对，所述遮光层的遮光侧壁环绕所述有源层。

优选地，所述遮光层为绝缘层。

优选地，形成包括遮光层的图形的步骤包括：

提供衬底本体；

在所述衬底本体上形成凹槽，所述衬底本体的剩余部分包括与所述凹槽相邻接的待掺杂部；

向所述衬底本体的待掺杂部内掺杂不透光材料，以形成所述遮光层；

形成包括薄膜晶体管的有源层的图形的步骤之后还包括：形成包括所述薄膜晶体管的栅极的图形，所述栅极位于所述有源层背离所述遮光底壁的一侧。

优选地，所述不透光的材料包括氧化铜、氧化亚铜和过氧化银中的至少一种，

向所述衬底本体的待掺杂部内掺杂不透光材料的步骤包括：

对所述待掺杂部进行离子注入，注入的离子包括铜离子和银离子的至少一种；

在包括氧气的气体氛围下对离子注入后的待掺杂部进行退火，以使注入的离子氧化形成所述不透光材料。

优选地，所述待掺杂部的厚度在50nm～100nm之间。