[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括薄膜晶体管和遮光层，所述薄膜晶体管包括有源层，所述有源层具有相对的顶面和底面，其特征在于，所述遮光层包括遮光底壁和遮光侧壁，所述遮光侧壁的底端与所述遮光底壁相连，所述遮光底壁与所述有源层的底面相对设置，所述遮光侧壁环绕所述有源层；

所述阵列基板还包括衬底，所述薄膜晶体管设置在所述衬底上，所述衬底上设置有凹槽，所述有源层位于所述凹槽内，所述衬底的与所述凹槽内壁相邻接的部分掺杂不透光材料后形成为所述遮光层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光层为绝缘层。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光层的材料包括氧化铜、氧化亚铜和过氧化银中的至少一种。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括栅极，所述栅极位于所述有源层背离所述遮光底壁的一侧，并与所述有源层绝缘间隔。

5.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

形成包括遮光层的图形，所述遮光层包括遮光底壁和遮光侧壁，所述遮光侧壁的底端与所述遮光底壁相连；

形成包括薄膜晶体管的有源层的图形，所述有源层具有相对的顶面和底面，所述有源层的底面与所述遮光底壁相对，所述遮光层的遮光侧壁环绕所述有源层；

形成包括遮光层的图形的步骤包括：

提供衬底本体；

在所述衬底本体上形成凹槽，所述衬底本体的剩余部分包括与所述凹槽相邻接的待掺杂部；

向所述衬底本体的待掺杂部内掺杂不透光材料，以形成所述遮光层。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述遮光层为绝缘层。

7.根据权利要求5或6所述的制作方法，其特征在于，形成包括薄膜晶体管的有源层的图形的步骤之后还包括：形成包括所述薄膜晶体管的栅极的图形，所述栅极位于所述有源层背离所述遮光底壁的一侧。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述不透光的材料包括氧化铜、氧化亚铜和过氧化银中的至少一种，

向所述衬底本体的待掺杂部内掺杂不透光材料的步骤包括：

对所述待掺杂部进行离子注入，注入的离子包括铜离子和银离子的至少一种；

在包括氧气的气体氛围下对离子注入后的待掺杂部进行退火，以使注入的离子氧化形成所述不透光材料。

9.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述待掺杂部的厚度在50nm～100nm之间。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至4中任意一项所述的阵列基板。