[发明专利]镀覆方法和镀覆装置

说明书

本发明提供镀覆方法和镀覆装置，抑制由于在抗蚀剂开口部中存在的气泡和抗蚀剂残渣所引起的镀覆不良的产生。提供对具有抗蚀剂开口部的基板进行镀覆的镀覆方法。该镀覆方法具有如下的工序：抗蚀剂残渣去除工序，对基板的形成有抗蚀剂开口部的面喷射第一处理液而去除基板的抗蚀剂开口内的抗蚀剂残渣；填充工序，使经过了去除工序的基板浸渍在第二处理液中而在基板的抗蚀剂开口部内填充第二处理液；以及镀覆工序，对经过了液体填充工序的基板进行镀覆。

技术领域

本发明涉及镀覆方法和镀覆装置。

背景技术

以往，在设置于半导体晶片等的表面上的微细的配线用槽、孔或者抗蚀剂开口部形成配线、或者在半导体晶片等的表面上形成与封装的电极等电连接的凸起(突起状电极)。作为形成该配线和凸起的方法，已知有例如电镀法、蒸镀法、印刷法、滚珠凸起法等，但多数情况下使用伴随着半导体芯片的I/O数的增加、窄间距化，能够实现微细化且性能比较稳定的电镀法。

在电镀法中，当在抗蚀剂开口部内残留有气泡时，不对气泡部分进行镀覆，而产生镀覆不良。特别是在凸起等纵横比较高的抗蚀剂开口部容易残留气泡。因此，为了避免镀覆不良，需要加入镀覆液以使得气泡不会残留在抗蚀剂开口部内。

以往，为了防止气泡残留在抗蚀剂开口部内，对基板进行亲水处理，在镀覆前进行所谓的预湿处理(例如，参照专利文献1)。具体而言，在预湿处理中使基板浸渍在脱气水中等，而使水充满抗蚀剂开口部。当使在抗蚀剂开口部中充满了水的基板浸渍在镀覆液中时，在抗蚀剂开口部中充满的水与镀覆液进行置换，镀覆液填充到抗蚀剂开口部中。

专利文献1：日本特开2012-224944号公报

在镀覆的基板上，在镀覆处理的前一工序中涂布抗蚀剂，形成抗蚀剂开口部。此时，有时在抗蚀剂开口部的底部存在抗蚀剂的残渣。在该情况下，即使能够像上述那样将基板浸渍在脱气水等液体中而在抗蚀剂开口部中填充液体，也由于在抗蚀剂残渣存在的部分没有填充液体，因此产生镀覆不良。因此，为了防止镀覆不良，不仅需要去除抗蚀剂开口部内的气泡，还需要去除抗蚀剂残渣。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的之一在于，抑制由于在抗蚀剂开口部中存在的气泡和抗蚀剂残渣所引起的镀覆不良的产生。

根据本发明的一个方式，提供对具有抗蚀剂开口部的基板进行镀覆的镀覆方法。该镀覆方法具有如下的工序：抗蚀剂残渣去除工序，对所述基板的形成有所述抗蚀剂开口部的面喷射第一处理液而去除所述基板的抗蚀剂开口内的抗蚀剂残渣；填充工序，使经过了所述去除工序的所述基板浸渍在第二处理液中而在所述基板的所述抗蚀剂开口部内填充所述第二处理液；以及镀覆工序，对经过了所述液体填充工序的所述基板进行镀覆。

根据本发明的另一个方式，提供对具有抗蚀剂开口部的基板进行镀覆的镀覆装置。该镀覆装置具有：抗蚀剂残渣去除装置，该抗蚀剂残渣去除装置具有喷射部而去除所述基板的抗蚀剂开口内的抗蚀剂残渣，该喷射部具有对所述基板的形成有所述抗蚀剂开口部的面吹送第一处理液的喷嘴；液体填充装置，该液体填充装置使所述基板浸渍在第二处理液中而在所述基板的所述抗蚀剂开口部内填充所述第二处理液；以及镀覆槽，该镀覆槽对所述基板进行镀覆。

附图说明

图1是本实施方式所涉及的镀覆装置的整体配置图。

图2是图1所示的基板架的立体图。

图3是抗蚀剂残渣去除装置的概略侧剖视图。

图4是图3所示的喷射部的侧视图。

图5是图3所示的喷射部的俯视图。

图6是位于最下部的喷射部的俯视图。

图7是位于最上部的喷射部的俯视图。

图8A是示出喷射部的喷嘴的朝向的比较例的俯视图。