[发明专利]半导体芯片的制造方法

说明书

本发明提供一种半导体芯片的制造方法，将具有基板、形成于基板上的导电部和形成于导电部的微凸起的半导体芯片层叠多片而得到半导体芯片。其中，具备在惰性气氛内使还原性气体流入配置有半导体芯片的空间内，并以微凸起的熔点以上的温度进行加热的加热工序，在加热工序中，在微凸起上载置有压力赋予部件。

技术领域

本发明涉及半导体芯片的制造方法。

背景技术

一直以来，在半导体封装件的三维安装中，使用引线接合(wire bonding)进行半导体芯片和半导体芯片、或插入件的连接。替代该引线接合，开发了经由贯通电极和凸起将半导体芯片彼此连接的三维安装技术。贯通电极要求标准上为短的连接线长(例如50μm)，且将电极间相连的凸起也要求微细的凸起。与这种低于50μm的凸起间距相对应的技术被称作微凸起。如美国专利第9136159号说明书，通过将半导体芯片和半导体芯片用贯通电极和微凸起连接，能够极大地缩短半导体芯片间的配线长度。因此，能够降低伴随微细化而增大的配线延迟时间。

在此，微凸起的形成工艺可举出焊锡印刷法、焊锡球搭载、镀敷法等，但因有机物或水等在反应过程中产生的气体等而产生的空隙成为技术问题。因此，在专利第5807221号说明书中记载有，进行惰性气氛下的回流、氢或羧酸等还原性气氛中的回流。

发明内容

在此，当如微凸起那样凸起减小时，即使是微少的空隙(例如10μm以下)，也可能会导致连接不良或配线电阻的增加。但是，越是小的空隙，浮力越小，越难以排出，特别是势垒金属层和凸起的界面因热而形成合金层。因此，难以排出流动性低的合金层附近的空隙。

本发明的目的在于，提供一种能够容易地除去微凸起内的空隙的半导体芯片的制造方法。

本发明的一个方面提供一种半导体芯片的制造方法，该半导体芯片具有基板、形成于基板上的导电部和形成于导电部的微凸起，其中，具备在惰性气氛内使还原性气体流入配置有半导体芯片的空间，并以微凸起的熔点以上的温度进行加热的加热工序，在加热工序中，在微凸起上载置有压力赋予部件。

在该半导体芯片的制造方法中，在加热工序中，在惰性气氛内使还原性气体流入配置有半导体芯片的空间进行加热。由此，将形成于微凸起的表面的氧化膜还原并除去。另外，在加热工序中，通过以微凸起的熔点以上的温度进行加热，微凸起熔融而具有流动性。在此，在加热工序中，在微凸起上载置有压力赋予部件。因此，伴随微凸起熔融而具有流动性，通过压力赋予部件的压力，微凸起以压溃的方式变形。通过该变形，在微凸起内产生流动，空隙在微凸起内流动。由此，在微凸起内流动的空隙被从该微凸起内排出到外部。如上，能够容易地除去微凸起内的空隙。

作为还原性气体，也可以应用羧酸。由此，能够良好地除去微凸起表面的氧化膜。

就压力赋予部件的重量而言，也可以是微凸起的每单位截面积为0.0005μg/μm²以上且0.1μg/μm²以下。由此，压力赋予部件能够对微凸起赋予用于除去空隙的适宜的压力。

也可以是，在基板上配置具有一定厚度的衬垫，压力赋予部件被压入至与衬垫接触。由此，因为利用衬垫止挡压力赋予部件，所以能够防止微凸起被过量压溃。

根据本发明，能够提供可容易地除去微凸起内的空隙的半导体芯片的制造方法。

附图说明

图1是表示包含半导体芯片的半导体封装件的一个实施方式的概略截面图。

图2是表示包含半导体芯片的半导体封装件的制造方法的步骤的流程图。

图3A及图3B是表示叠层有半导体芯片的情况的概略截面图。

图4A是表示叠层有半导体芯片的情况的概略截面图，图4B是表示将半导体芯片彼此接合的情况的概略截面图。