[发明专利]金属再布线结构、芯片封装器件及芯片封装器件制作工艺

权利要求书

1.一种芯片封装器件制作工艺，具有金属再布线结构形成步骤，其特征在于，所述金属再布线结构包括依次层叠设置且形成电性连接的金属种子层、第一线路层及第二线路层，所述金属再布线结构形成步骤包括：

S1、提供一表面设置有焊盘且覆盖有钝化层的基板，所述钝化层形成有供焊盘露出的开口，在所述钝化层表面一侧沉积金属种子层，所述金属种子层与所述焊盘形成电性连接；

S2、在金属种子层表面形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层具有供部分所述金属种子层裸露的第一开口图形，于所述第一开口图形内电镀形成具有第一线路的第一线路层；

S3、去除所述第一光刻胶层，在所述第一线路层表面形成第二光刻胶层，所述第二光刻胶层具有供部分所述第一线路层裸露的第二开口图形，于所述第二开口图形内电镀形成具有第二线路的第二线路层，所述第二线路的边缘位于所述第一线路的边缘内侧，相邻两所述第二线路之间的间隙尺寸大于相应两所述第一线路之间的间隙尺寸。

2.根据权利要求1所述的芯片封装器件制作工艺，其特征在于，所述步骤S3之后还包括步骤S4，所述步骤S4为：去除光刻胶层，在所述第二线路层表面形成第三光刻胶层，所述第三光刻胶层具有供部分所述第二线路层裸露的第三开口图形，于所述第三开口图形内电镀形成供所述第二线路与外部进行电性连接的导电柱。

3.根据权利要求1或2所述的芯片封装器件制作工艺，其特征在于，所述步骤S3或S4之后还包括步骤S5，所述步骤S5为：去除光刻胶层，采用蚀刻液将暴露于所述第一线路层若干第一线路之间的金属种子层去除。

4.根据权利要求1或2所述的芯片封装器件制作工艺，其特征在于，所述第一线路层的厚度不大于10μm。