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[发明专利]倒装芯片组件、倒装芯片封装结构及制备方法-CN201811638810.4有效
发明人：梅嬿 -专利权人：颀中科技（苏州）有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明提供了一种倒装芯片组件、倒装芯片封装结构及制备方法，所述倒装芯片组件包括芯片、沿第一方向形成在所述芯片一侧表面的第一导电柱与第二导电柱，所述第二导电柱大于第一导电柱，所述第一导电柱背离所述芯片的一端设有第一焊料块；所述第二导电柱背离所述芯片的一端设置有若干相互间隔的第二焊料块，且所述第二焊料块与第二导电柱之间还设有的导电底座。所述倒装芯片组件的制备方法包括在第二导电柱上制得若干相互间隔的导电底座，再于导电底座上制得相应的第二焊料块，再通过热处理使得第一焊料块及第二焊料块由初始状态转换至成品状态。本发明针对条状、椭圆状等具有较大尺寸的第二导电柱上的焊料结构进行调整，提高产品质量。
倒装芯片组件封装结构制备方法

[发明专利]芯片封装结构、芯片封装结构的制备方法和显示屏-CN202011533022.6在审
发明人：梅嬿 -专利权人：颀中科技(苏州)有限公司;合肥颀中封测技术有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本申请涉及一种芯片封装结构、芯片封装结构的制备方法和显示屏，本申请的芯片封装结构包括：芯片本体和至少一个封装凸块，封装凸块设于芯片本体；其中，封装凸块的材质包括金属，封装凸块背离于芯片本体的表面为平面。本申请通过将封装凸块背离于芯片本体的表面设为平面，且使芯片封装结构通过封装凸块焊接于导电基板，直接通过金属材质的封装凸块与导电基板进行导电连接，从而无需额外使用ACF胶进行导电连接，改善了芯片本体与导电基板的封装质量，尽可能地避免相邻的两个封装凸块之间的短路。
芯片封装结构制备方法显示屏

[发明专利]金属再布线结构、芯片封装器件及芯片封装器件制作工艺-CN201810130239.9有效
发明人：梅嬿 -专利权人：颀中科技（苏州）有限公司
申请日： 2018-02-08 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属再布线结构、芯片封装器件及芯片封装器件制作工艺，其中所涉及的金属再布线结构包括依次层叠设置且形成电性连接的金属种子层、第一线路层及第二线路层，所述金属种子层与焊盘连接，构成所述第二线路层的第二线路位于构成所述第一线路层的第一线路上表面，且所述第二线路的边缘位于所述第一线路的边缘内侧，基于该设计结构，在采用蚀刻工艺去除金属种子层时，蚀刻液能够顺利进入相邻线路的间隙内以对该间隙内的金属种子层进行充分蚀刻，从而有效提高半导体封装制程的良率。
金属布线结构芯片封装器件制作工艺

[发明专利]芯片封装方法与芯片封装结构-CN202010641529.7在审
发明人：梅嬿;陈浩;许冠猛 -专利权人：颀中科技（苏州）有限公司;北京奕斯伟科技有限公司;合肥奕斯伟封测技术有限公司
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供了一种芯片封装方法与芯片封装结构，所述芯片封装方法包括先在半导体基片表面制备绝缘层，所述半导体基片表面具有金属焊盘，所述绝缘层设有与所述金属焊盘位置相对应的开口；再依次制备金属种子层与金属凸块，并刻蚀去除相邻所述金属凸块之间的金属种子层，使得相应区域的绝缘层向外暴露；然后，采用既定的激发源与工艺气体对相邻所述金属凸块之间的所述绝缘层进行等离子体修复。采用上述芯片封装方法得到的芯片封装结构能够有效改善绝缘层的电阻性能，减小、克服绝缘层漏电，有效提高产品良率与质量。
芯片封装方法结构

[发明专利]一种芯片金属凸块成型方法-CN202010641512.1在审
发明人：梅嬿;陈浩 -专利权人：颀中科技（苏州）有限公司;北京奕斯伟科技有限公司;合肥奕斯伟封测技术有限公司
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片金属凸块成型方法，包括如下步骤：提供硅基板，所述硅基板的上表面形成有电极和钝化层，所述电极自钝化层上的钝化层开口向外暴露。在钝化层及电极上表面覆盖种子层。在种子层上表面形成光阻层。去除部分光阻以形成光阻开口，所述光阻开口完全覆盖钝化层开口所在区域。在光阻开口内成型金属柱，金属柱包括自下而上依次成型的金属基层和金属锡层。对成型的金属柱进行芯片探针测试。采用回流工艺将进行芯片探针测试后的金属锡层形成金属帽。本发明能够有效的修复芯片探针测试过程中对金属柱端头的损伤，磨平芯片探针测试形成的针痕从而避免了针痕造成的金属凸块的表面的不平坦进而避免对后续工艺及产品性能的影响。
一种芯片金属成型方法

[发明专利]植球结构及制备工艺-CN202010175541.3在审
发明人：梅嬿 -专利权人：颀中科技（苏州）有限公司;北京奕斯伟科技有限公司
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明提供一种植球结构及制备工艺，包括依序叠置的基板、导电层、钝化层、种子层及金属层，多个焊球分别植入所述金属层上，任意相邻的焊球之间设有挡墙，所述挡球用于防止所述焊球之间相互桥接。
结构制备工艺

[发明专利]镍金凸块的制作方法及镍金凸块组件-CN201510778810.4有效
发明人：梅嬿 -专利权人：颀中科技（苏州）有限公司
申请日： 2015-11-13 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种镍金凸块的制作方法，包括自上向下形成在晶圆和镍金凸块之间的钛或钛钨金属层和金质金属层，通过物理干蚀刻的方式自上向下去除所述凸块外侧的金质金属层，再利用湿蚀刻方式蚀刻去除所述钛或钛钨金属层，避免采用湿蚀刻方式造成原电池反应，以及所述凸块的镍材质被蚀刻过度；本发明还提供一种镍金凸块组件，包括上下依次形成预留层、金质金属层、镍质金属层的凸块，以及设置在所述凸块底部的种子金属层和衬底金属层，所述金质金属层的侧面与所述凸块的侧面在竖直方向上平齐，最终保证凸块与所述晶圆之间具有较大的结合面积和结合力。
镍金凸块制作方法组件

[实用新型]防脱落重布线结构及具有该重布线结构的半导体封装器件-CN201820227156.7有效
发明人：梅嬿 -专利权人：颀中科技（苏州）有限公司
申请日： 2018-02-08 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防脱落重布线结构及具有该重布线结构的半导体封装器件，其中所涉及的重布线结构包括介电层以及附着于所述介电层表面的金属重布线层，其特征在于，所述介电层紧贴所述金属重布线层的表面凹陷形成有若干凹槽，所述金属重布线层具有若干向所述介电层方向突出并嵌设于所述凹槽内的凸起，基于本实用新型中所涉及的凸起可嵌设于凹槽内，其能够增加金属重布线层与介电层之间的结合力，从而解决传统重布线层与介电层之间易脱层分离的技术问题，可有效提高了半导体封装器件的产品可靠性。
重布线层介电层重布线半导体封装器件金属本实用新型防脱落嵌设凸起产品可靠性介电层表面表面凹陷结合力附着脱层紧贴

[实用新型]一种凸块组件-CN201420834712.9有效
发明人：梅嬿 -专利权人：颀中科技（苏州）有限公司
申请日： 2014-12-25 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种凸块组件，凸出形成于半导体晶圆上，所述凸块组件包括凸块、粘合在所述凸块与所述晶圆之间的金属层，所述晶圆设有嵌合槽以及围绕在嵌合槽四周的支撑面，所述凸块包括嵌合在所述嵌合槽内的第一部分以及与所述第一部分连接且被所述支撑面向上支撑的第二部分，所述第二部分包括位于顶部的上导接端、位于底部被所述支撑面支撑的粘合端以及上下连接上导接端与粘合端的侧壁，所述第二部分还包括自所述粘合端四周边缘向外扩张延伸并超出所述侧壁的延伸部。本实用新型凸块及制作方法能够有效避免对凸块的结合面积减小，增强凸块的结合力和连接的可靠度。
一种组件

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