[发明专利]半导体存储器装置及其操作方法

说明书

本发明提供了一种半导体存储器装置及其操作方法。操作半导体存储器装置的方法可包括：确定联接到过度编程的存储器单元的目标字线；将存储在联接到目标字线的存储器单元中的数据备份到第二存储区域中，其中第二存储区域不同于其中设置有联接到目标字线的存储器单元的第一存储区域；以及当对联接到目标字线的存储块中的所选择的存储器单元执行读取操作时，将升高的读取通过电压施加到目标字线，其中所选择的存储器单元不同于过度编程的存储器单元。因此，可提高半导体存储器装置的操作可靠性。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年9月11日提交的申请号为10-2017-0115987的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开的各个实施例涉及一种存储装置，并且更特别地，涉及一种半导体存储器装置和操作该半导体存储器装置的方法。

背景技术

存储器装置可具二维(2D)结构或三维(3D)结构，其中在二维(2D)结构中单元串被水平地布置在半导体衬底上，在三维(3D)结构中单元串被垂直地设置在半导体衬底上。设计具有3D结构的存储器装置(被称为“3D存储器装置”)以克服具有2D结构的存储器装置(被称为“2D存储器装置”)的集成度的限制。3D存储器装置可包括垂直地堆叠在半导体衬底上的多个单元串中包括的多个存储器单元。

发明内容

本公开的各个实施例涉及一种具有增强的可靠性的半导体存储器装置。

本公开的各个实施例涉及一种操作具有增强的可靠性的半导体存储器装置的方法。

本公开的实施例可提供一种操作半导体存储器装置的方法。操作半导体存储器装置的方法可包括：确定联接到过度编程的存储器单元的目标字线；将存储在联接到目标字线的存储器单元中的数据备份到第二存储区域中，其中第二存储区域不同于其中设置有联接到目标字线的存储器单元的第一存储区域；以及当对联接到目标字线的存储块中的所选择的存储器单元执行读取操作时，将升高的读取通过电压施加到目标字线，其中所选择的存储器单元不同于过度编程的存储器单元。

在实施例中，升高的读取通过电压具有比读取通过电压更高的电平，在读取操作中，读取通过电压可被施加到未被选择的存储器单元，并且未被选择的存储器单元未被过度编程。

在实施例中，当升高的读取通过电压被施加到过度编程的单元时，过度编程的单元可被导通。

在实施例中，所选择的存储器单元可位于包括串联连接的多个存储器单元的存储器单元串中。另外，多个存储器单元可分别联接到多个字线。

在实施例中，确定目标字线可包括检测过度编程的存储器单元。

方法可进一步包括：在将存储在联接到目标字线的存储器单元中的数据备份到第二存储区域中之后，使存储在联接到目标字线的存储器单元中的数据无效。

在实施例中，当第二存储区域中的存储器单元存储备份数据之后，使数据无效可包括利用对应于第二存储区域中的存储器单元的物理地址来更新对应于联接到目标字线的存储器单元的物理地址。在这种情况下，当读取存储在联接到目标字线的存储器单元中的数据时，可读取备份数据。

在实施例中，方法可进一步包括：将存储在联接到目标字线的存储器单元中的数据备份到第二存储区域中之后，升高读取电压。在这种情况下，当读取存储在联接到目标字线的存储器单元中的数据时，读取电压可被施加到目标字线。

在实施例中，作为对存储在联接到目标字线的存储器单元中的数据的读取操作的结果，当发生读取失败时，该方法可进一步包括额外升高已升高的读取电压以执行读取操作。

在实施例中，作为对存储在联接到目标字线的存储器单元中的数据进行读取操作的结果，当发生读取失败时，可使存储在联接到目标字线的存储器单元中的数据无效，并且可读取备份到第二存储区域的数据。