[发明专利]半导体元件及其制作方法

权利要求书

1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：

提供一基底，该基底具有一第一区域以及一第二区域；

形成一第一鳍状结构于该第一区域上以及一第二鳍状结构于该第二区域上；

形成一浅沟隔离环绕该第一鳍状结构以及该第二鳍状结构；

形成一掩模层于该第一鳍状结构上；以及

进行一第一退火制作工艺使该第一鳍状结构的曲率半径不同于该第二鳍状结构的曲率半径。

2.如权利要求1所述的方法，另包含：

形成一绝缘层于该第一鳍状结构以及该第二鳍状结构上；以及

去除部分该绝缘层以形成该浅沟隔离。

3.如权利要求1所述的方法，其中该掩模层包含氮化硅。

4.如权利要求1所述的方法，其中各该第一鳍状结构以及该第二鳍状结构上表面包含一平坦表面。

5.如权利要求4所述的方法，另包含进行该第一退火制作工艺将该第二鳍状结构上表面转换为一第一曲面。

6.如权利要求5所述的方法，另包含于进行该第一退火制作工艺之后去除该掩模层。

7.如权利要求6所述的方法，另包含于去除该掩模层之后进行一第二退火制作工艺将该第一鳍状结构上表面转换为一第二曲面并将该第一曲面转换为一第三曲面。

8.如权利要求7所述的方法，其中该第三曲面的曲率半径小于第二曲面的曲率半径。

9.一种半导体元件，其特征在于，包含：

基底，该基底具有第一区域以及第二区域；以及

第一鳍状结构设于该第一区域上以及第二鳍状结构设于该第二区域上，其中该第一鳍状结构以及该第二鳍状结构包含不同曲率半径；以及

浅沟隔离，环绕该第一鳍状结构以及该第二鳍状结构，其中该第一鳍状结构的曲率中心低于该浅沟隔离的上表面，该第二鳍状结构的曲率中心高于该浅沟隔离的该上表面。

10.如权利要求9所述的半导体元件，另包含浅沟隔离，环绕该第一鳍状结构以及该第二鳍状结构。

11.如权利要求9所述的半导体元件，其中该第一鳍状结构上表面包含一平坦表面且该第二鳍状结构上表面包含第一曲面。

12.如权利要求9所述的半导体元件，其中该第一鳍状结构上表面包含第一曲面且该第二鳍状结构上表面包含第二曲面。

13.如权利要求12所述的半导体元件，其中该第二曲面的曲率半径小于该第一曲面的曲率半径。