[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 201780093212.0 | 申请日: | 2017-10-26 |
公开(公告)号: | CN111316429A | 公开(公告)日: | 2020-06-19 |
发明(设计)人: | 梅田宗一郎;石岡岳规 | 申请(专利权)人: | 新电元工业株式会社 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48 |
代理公司: | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人: | 郁旦蓉 |
地址: | 日本国东京都千*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
半导体装置包括:基板,在其上端面设置有多个导电层;半导体元件,其配置于基板的上端面,并且位于其下端面侧的第一端子电连接于设置在基板的上端面的第一导电层;封装部,封装基板以及半导体元件;第一引线框,其一端部在向封装部内的基板的上端面的边方向延伸的端部处与第一导电层的上端面接触,其另一端部从封装部露出;以及第一导电性接合材料,其在基板的端部处将第一导电层的上端面与第一引线框的一端部的下端面侧之间接合且具有导电性,其中,第一引线框的一端部具有:第一拱形部,其被设置为沿着基准方向向上方突出;以及第一折弯部,其相连于第一拱形部且位于比第一拱形部更靠近前端侧,并且被折弯成沿着基准方向向下方突出。
技术领域
本发明涉及一种半导体装置。
背景技术
以往,例如有一种半导体装置(例如参照专利文献1)已被普遍知晓,其为:将半导体元件放置在基板的导体层上,并经由焊锡等导电性接合材料以连接件来接合该半导体元件与引线框,并且该半导体元件与基板被封装树脂封装。
在上述这种以往的半导体装置中,当热应力被施加在该半导体装置时,由于在引线框的接合部产生有应力,从而会导致该接合部的电连接的可靠性降低的问题。
先行技术文献
专利文献
专利文献1:特开2015-12065号公报
鉴于上述问题,本发明的目的在于提供一种半导体装置,其在当应力被施加在引线框时,能够缓和在引线框与基板之间的接合部产生的应力,从而抑制该接合部的电连接的可靠性降低的问题。
发明内容
根据本发明的一种形态所涉及的实施方式中的半导体装置,其特征在于,包括:
基板,在其上端面设置有多个导电层;
半导体元件,其配置于所述基板的上端面,并且位于其下端面侧的第一端子电连接于设置在所述基板的上端面的第一导电层;
封装部,封装所述基板以及半导体元件;
第一引线框,其一端部在向所述封装部内的所述基板的所述上端面的边方向延伸的端部处与所述第一导电层的上端面接触,其另一端部从所述封装部露出;以及
第一导电性接合材料,其在所述基板的所述端部处将所述第一导电层的上端面与所述第一引线框的所述一端部的下端面侧之间接合且具有导电性,
其中,所述第一引线框的所述一端部具有:第一拱形部,其被设置为沿着基准方向向上方突出;以及第一折弯部,其相连于所述第一拱形部且位于比所述第一拱形部更靠近前端侧,并且被折弯成沿着所述基准方向向下方突出。
在所述半导体装置中,
所述第一折弯部的下端面侧与所述第一导电层的上端面沿着所述基准方向线接触。
在所述半导体装置中,
所述第一导电性接合材料被沿着所述第一引线框的所述第一折弯部与所述第一导电层的上端面线接触的所述基准方向配置,并且在所述基板的所述端部处将所述第一导电层的上端面与所述第一折弯部的下端面侧之间接合。
在所述半导体装置中,
在所述第一引线框的所述第一折弯部中的与所述第一导电层线接触的部分的位于所述基准方向的两侧的侧面,形成有向所述基准方向凹陷的缺口部,
所述第一导电性接合材料的一部分被填入于所述缺口部内,并将所述第一导电层的上端面与所述第一折弯部的所述缺口部之间接合。
在所述半导体装置中,
所述第一引线框被配置为:
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