[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

基板，在其上端面设置有多个导电层；

半导体元件，其配置于所述基板的上端面，并且位于其下端面侧的第一端子电连接于设置在所述基板的上端面的第一导电层；

封装部，封装所述基板以及半导体元件；

第一引线框，其一端部在向所述封装部内的所述基板的所述上端面的边方向延伸的端部处与所述第一导电层的上端面接触，其另一端部从所述封装部露出；以及

第一导电性接合材料，其在所述基板的所述端部处将所述第一导电层的上端面与所述第一引线框的所述一端部的下端面侧之间接合且具有导电性，

其中，所述第一引线框的所述一端部具有：第一拱形部，其被设置为沿着基准方向向上方突出；以及第一折弯部，其相连于所述第一拱形部且位于比所述第一拱形部更靠近前端侧，并且被折弯成沿着所述基准方向向下方突出。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述第一折弯部的下端面侧与所述第一导电层的上端面沿着所述基准方向线接触。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述第一导电性接合材料被沿着所述第一引线框的所述第一折弯部与所述第一导电层的上端面线接触的所述基准方向配置，并且在所述基板的所述端部处将所述第一导电层的上端面与所述第一折弯部的下端面侧之间接合。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：

其中，在所述第一引线框的所述第一折弯部中的与所述第一导电层线接触的部分的位于所述基准方向的两侧的侧面，形成有向所述基准方向凹陷的缺口部，

所述第一导电性接合材料的一部分被填入于所述缺口部内，并将所述第一导电层的上端面与所述第一折弯部的所述缺口部之间接合。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述第一引线框被配置为：

使得所述基板的所述端部所延伸的所述边方向和所述第一折弯部的线接触的区域所延伸的所述基准方向成为相互平行。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述第一引线框具有主体部，该主体部位于所述一端部与所述另一端部之间且被封装在所述封装部内，所述第一拱形部的上端面的位置比所述主体部的上端面的位置更高。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述第一拱形部的所述边方向的宽度与除了所述第一折弯部的所述缺口部以外的所述边方向的宽度相同。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述第一引线框的所述一端部与所述另一端部具有相同的厚度。

9.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述第一导电性接合材料为焊锡材料。

10.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述第一拱形部将施加在所述第一引线框的应力分散至周边的所述封装部，从而抑制应力被施加在所述第一引线框的所述第一折弯部。

11.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述第一折弯部的下端面的位置比所述主体部的下端面的位置更低。