[发明专利]半导体用粘合膜和半导体器件

权利要求书

1.一种半导体用粘合膜，包括：导电层，所述导电层包含选自铜、镍、钴、铁、不锈钢（SUS）和铝中的至少一种金属并且具有至少0.05 μm的厚度；以及

粘合层，所述粘合层形成在所述导电层的至少一个表面上并且包含基于(甲基)丙烯酸酯的树脂、固化剂和环氧树脂，

其中，所述基于(甲基)丙烯酸酯的树脂包含含有基于环氧的官能团的基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元和含有芳族官能团的基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元，所述固化剂包含酚树脂。

2.根据权利要求1所述的半导体用粘合膜，

其中所述导电层的厚度为0.05 μm至10 μm。

3.根据权利要求1所述的半导体用粘合膜，

其中所述导电层为0.1 μm至10 μm的铜层、0.1 μm至10 μm的不锈钢（SUS）层、0.1 μm至10 μm的铝层、0.05 μm至10 μm的镍层、0.05 μm至10 μm的钴层、或0.05 μm至10 μm的铁（Fe）层。

4.根据权利要求1所述的半导体用粘合膜，

还包括阻挡层，所述阻挡层形成在所述导电层与所述粘合层之间并且具有0.001 μm至1 μm的厚度。

5.根据权利要求4所述的半导体用粘合膜，

其中所述阻挡层包含选自以下的至少之一：钛（Ti）、锆（Zr）、铪（Hf）、钒（V）、铌（Nb）、钽（Ta）、不锈钢、镍合金和稀土金属、或其氧化物和其氮化物。

6.根据权利要求1所述的半导体用粘合膜，

其中所述基于(甲基)丙烯酸酯的树脂的羟基当量为0.15 eq/kg或更小。

7.根据权利要求1所述的半导体用粘合膜，

其中所述基于(甲基)丙烯酸酯的树脂包含2重量%至40重量%的含有芳族官能团的基于(甲基)丙烯酸酯的官能团。

8.根据权利要求1所述的半导体用粘合膜，

其中所述基于(甲基)丙烯酸酯的树脂相对于所述基于(甲基)丙烯酸酯的树脂、所述环氧树脂和所述酚树脂的总重量的重量比为0.55至0.95。

9.根据权利要求1所述的半导体用粘合膜，

其中所述酚树脂具有100℃或更高的软化点。

10.根据权利要求1所述的半导体用粘合膜，

其中所述环氧树脂的软化点为50℃至120℃。

11.根据权利要求1所述的半导体用粘合膜，

其中所述粘合膜的厚度为0.1 μm至300 μm，以及

所述导电层相对于所述粘合层的厚度比为0.001至0.8。

12.根据权利要求5所述的半导体用粘合膜，

其中所述镍合金包括包含镍以及选自碳、锰、硅、硫、铁、铜、铬、铝、钛、钼和钴中的一种或更多种元素的合金。

13.根据权利要求1所述的半导体用粘合膜，

其中所述基于(甲基)丙烯酸酯的树脂的玻璃化转变温度为-10℃至20℃。

14.一种半导体器件，包括根据权利要求1所述的半导体用粘合膜和与所述粘合膜的粘合层的表面接触的半导体元件。

15.根据权利要求14所述的半导体器件，

其中所述半导体器件还包括用于通过线接合或倒装芯片法与所述半导体元件接合的被粘物。

16.根据权利要求15所述的半导体器件，

其中所述半导体用粘合膜形成在所述被粘物与所述半导体元件之间，或者

所述半导体用粘合膜形成在接合有所述半导体元件和所述被粘物的表面相反的表面上。

17.根据权利要求14所述的半导体器件，

其中所述半导体器件包括两个或更多个半导体元件，以及

所述半导体元件中的至少两个通过所述半导体用粘合膜接合。