[发明专利]有机半导体器件制造用组合物在审
| 申请号: | 201780034357.3 | 申请日: | 2017-05-17 |
| 公开(公告)号: | CN109314186A | 公开(公告)日: | 2019-02-05 |
| 发明(设计)人: | 横尾健;铃木阳二;赤井泰之 | 申请(专利权)人: | 株式会社大赛璐 |
| 主分类号: | H01L51/30 | 分类号: | H01L51/30;H01L51/05 |
| 代理公司: | 北京坤瑞律师事务所 11494 | 代理人: | 张平元 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机半导体器件 制造用组合物 有机半导体材料 烷基 氟原子 氢原子 呋喃基 吡啶基 噻吩基 噻唑基 溶剂 芳基 二氢苯并呋喃 载流子迁移率 氟原子取代 碳原子数 烷基取代 含水率 硫原子 硒原子 氧原子 式中 | ||
本发明提供可形成稳定而具有高的载流子迁移率的有机半导体器件的有机半导体器件制造用组合物。有机半导体器件制造用组合物,其含有作为溶剂的2,3‑二氢苯并呋喃及下述有机半导体材料,溶剂的含水率为0.25重量%以下。有机半导体材料:选自下组中的至少一种化合物:下述式(1‑1)所示的化合物、下述式(1‑2)所示的化合物、下述式(1‑3)所示的化合物、下述式(1‑4)所示的化合物、下述式(1‑5)所示的化合物及下述式(1‑6)所示的化合物(式中,X1、X2相同或不同,为氧原子、硫原子或硒原子。m为0或1。n1、n2相同或不同,为0或1。R1、R2相同或不同,为氟原子、C1‑20烷基、C6‑13芳基、吡啶基、呋喃基、噻吩基或噻唑基,其中,上述烷基含有的氢原子中的1个或2个以上任选被氟原子取代,上述芳基、吡啶基、呋喃基、噻吩基及噻唑基含有的氢原子中的1个或2个以上任选被氟原子或碳原子数1~10的烷基取代)。
技术领域
本发明涉及以溶解于溶剂的状态含有作为有机半导体材料的稠环π共轭类分子、且用于通过印刷法制造有机半导体器件的用途的组合物。
背景技术
晶体管是显示器、计算机设备中包含的重要的半导体器件,目前是使用多晶硅、非晶硅等无机半导体材料而制造的。使用无机半导体材料的薄膜晶体管的制造,通过等离子体化学气相沉积法(PECVD)、溅射法等进行,存在制造工艺温度高、制造装置昂贵且成本高、在形成大面积的薄膜晶体管时容易导致特性不均一的问题。另外,可使用的基板受到制造工艺温度的限制,主要使用的是玻璃基板。但是,玻璃基板虽然耐热性高,但不耐冲击、难以轻量化、缺乏柔软性,因此在使用玻璃基板的情况下,难以形成轻质而柔性的晶体管。
为此,近年来,有关利用有机半导体材料的有机半导体器件的研究开发得到了广泛进行。这是由于使用有机半导体材料时,能够通过涂布法等简便的方法在较低的制造工艺温度下制造有机半导体器件,因此可以使用耐热性低的塑料基板,能够实现显示器等电子设备的轻质化、柔性化、低成本化。
在专利文献1中,作为载流子迁移率优异的有机半导体材料而记载了N字型稠环π共轭类分子。另外,作为溶解上述有机半导体材料的溶剂,记载了邻二氯苯、1,2-二甲氧基苯等的使用。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第2014/136827号
发明内容
发明要解决的问题
另一方面,在使用了有机半导体材料的有机半导体器件制造用组合物中,即使在使用了相同溶剂的情况下,也有载流子迁移率高的情况和低的情况。
因此,本发明的目的在于提供可形成稳定而具有高载流子迁移率的有机半导体器件的有机半导体器件制造用组合物。
解决问题的方法
本发明人为了解决上述问题而进行了深入研究,结果发现,如果使用含水率为特定值以下的特定的溶剂及特定的有机半导体材料,则可以形成稳定而具有高载流子迁移率的有机半导体器件。本发明是基于上述见解而完成的。
即,本发明提供含有作为溶剂的2,3-二氢苯并呋喃及下述有机半导体材料,且溶剂的含水率为0.25重量%以下的有机半导体器件制造用组合物。
有机半导体材料:选自下组的至少一种化合物:下述式(1-1)所示的化合物、下述式(1-2)所示的化合物、下述式(1-3)所示的化合物、下述式(1-4)所示的化合物、下述式(1-5)所示的化合物及下述式(1-6)所示的化合物
[化学式1]
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





