[发明专利]有机半导体器件制造用组合物在审
| 申请号: | 201780034357.3 | 申请日: | 2017-05-17 |
| 公开(公告)号: | CN109314186A | 公开(公告)日: | 2019-02-05 |
| 发明(设计)人: | 横尾健;铃木阳二;赤井泰之 | 申请(专利权)人: | 株式会社大赛璐 |
| 主分类号: | H01L51/30 | 分类号: | H01L51/30;H01L51/05 |
| 代理公司: | 北京坤瑞律师事务所 11494 | 代理人: | 张平元 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机半导体器件 制造用组合物 有机半导体材料 烷基 氟原子 氢原子 呋喃基 吡啶基 噻吩基 噻唑基 溶剂 芳基 二氢苯并呋喃 载流子迁移率 氟原子取代 碳原子数 烷基取代 含水率 硫原子 硒原子 氧原子 式中 | ||
1.有机半导体器件制造用组合物,其含有作为溶剂的2,3-二氢苯并呋喃及下述有机半导体材料,溶剂的含水率为0.25重量%以下,
有机半导体材料选自下组中的至少一种化合物:下述式(1-1)所示的化合物、下述式(1-2)所示的化合物、下述式(1-3)所示的化合物、下述式(1-4)所示的化合物、下述式(1-5)所示的化合物及下述式(1-6)所示的化合物,
式中,X1、X2相同或不同,为氧原子、硫原子或硒原子,m为0或1,n1、n2相同或不同,为0或1,R1、R2相同或不同,为氟原子、C1-20烷基、C6-13芳基、吡啶基、呋喃基、噻吩基或噻唑基,其中,所述烷基含有的氢原子中的1个或2个以上任选被氟原子取代,所述芳基、吡啶基、呋喃基、噻吩基及噻唑基含有的氢原子中的1个或2个以上任选被氟原子或碳原子数1~10的烷基取代,
2.根据权利要求1所述的有机半导体器件制造用组合物,其中,有机半导体材料为选自下组中的至少一种化合物:下述式(1-7)所示的化合物、下述式(1-8)所示的化合物、下述式(1-9)所示的化合物及下述式(1-10)所示的化合物,
式中,R3、R4相同或不同,为C1-20烷基、C6-13芳基、吡啶基、呋喃基、噻吩基、或噻唑基,
3.根据权利要求1或2所述的有机半导体器件制造用组合物,其中,所述有机半导体器件制造用组合物总量中的溶剂的含量为99.999重量%以下。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的有机半导体器件制造用组合物,其中,所述有机半导体器件制造用组合物中的有机半导体材料的含量,相对于所述溶剂100重量份为0.005重量份以上。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的有机半导体器件制造用组合物,其中,在所述有机半导体器件制造用组合物中包含的溶剂总量中,2,3-二氢苯并呋喃的含量占50重量%以上。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的有机半导体器件制造用组合物,其中,所述有机半导体器件制造用组合物中包含的有机半导体材料总量中的选自下组中的至少一种化合物的含量为50重量%以上:上述式(1-1)所示的化合物、上述式(1-2)所示的化合物、上述式(1-3)所示的化合物、上述式(1-4)所示的化合物、上述式(1-5)所示的化合物及上述式(1-6)所示的化合物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





