[发明专利]半导体装置、以及电力转换装置有效
| 申请号: | 201780003119.6 | 申请日: | 2017-10-10 |
| 公开(公告)号: | CN109923667B | 公开(公告)日: | 2022-11-25 |
| 发明(设计)人: | 大久保祯一 | 申请(专利权)人: | 新电元工业株式会社 |
| 主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司: | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人: | 郁旦蓉 |
| 地址: | 日本国东京都千*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 以及 电力 转换 | ||
1.一种半导体装置,将被输入的电压进行转换后进行输出,其特征在于,包括:
模块基板;
第一输入布线,在配置于所述模块基板的上端面的同时,具有沿所述模块基板的第一边延伸的第一部分、以及沿与所述第一边邻接的第二边延伸并且一端与所述第一部分的一端相连接的第二部分;
第一输入端子,配置在所述第二部分的另一端上,并且与所述第一输入布线电气连接;
第一晶体管,配置在所述第一部分上,使其位于所述第一部分的一端侧;
第二晶体管,配置在所述第一部分上,使其位于所述第一部分的另一端侧;
第一电力布线,配置在比所述第一输入布线更靠近所述模块基板的上端面的中央侧的区域,即与所述第一输入布线的所述第一部分的一端以及所述第二部分相连接的第一基板区域上;
第二电力布线,配置在比所述第一输入布线更靠近所述模块基板的上端面的中央侧的区域,即在与所述第二边相对的第三边侧与所述第一基板区域邻接的第二基板区域上;
第三晶体管,配置在所述第一电力布线上;
第四晶体管,配置在所述第二电力布线上;
第一输出端子,配置在所述第一电力布线上,并且在所述第一电力布线上电气连接;
第二输出端子,配置在所述第二电力布线上,并且在所述第二电力布线上电气连接;
第二输入布线,配置于所述模块基板的上端面,并且靠近与所述模块基板的所述第一边相对且与所述第二边邻接的第四边;
第二输入端子,配置在所述第二输入布线上,并且与所述第二输入布线电气连接;
模块用封装构件,对所述模块基板的上端面进行封装;
第一控制布线,配置在所述模块基板的上端面,并且其一端所述第一晶体管的控制电极相连接;
第二控制布线,配置在所述模块基板的上端面,并且其一端所述第二晶体管的控制电极相连接;
第一控制端子,配置在所述第一控制布线的另一端上从而使其位于比所述第一晶体管更靠近所述第二边一侧的位置上,并且与所述第一控制布线电气连接;以及
第一控制端子,配置在所述第二控制布线的另一端上从而使其位于比所述第二晶体管更靠近所述第三边一侧的位置上,并且与所述第二控制布线电气连接。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,进一步包括:第三控制布线,配置在所述模块基板的上端面,并且其一端所述第三晶体管的控制电极相连接;
第四控制布线,配置在所述模块基板的上端面,并且其一端所述第四晶体管的控制电极相连接;
第三控制端子,配置在所述第三控制布线的另一端上从而使其位于比所述第三晶体管更靠近所述第二边一侧的位置上,并且与所述第三控制布线电气连接;以及
第四控制端子,配置在所述第四控制布线的另一端上从而使其位于比所述第四晶体管更靠近所述第三边一侧的位置上,并且与所述第四控制布线电气连接。
3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于:
其中,所述第一输入布线的所述第二部分的另一端靠近所述模块基板的所述第二边与所述第四边的交点。
4.根据权利要求3所述的半导体装置,其特征在于:
其中,所述第一输出端子与所述第二输出端子被配置为在所述第一边的方向上相互靠近。
5.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于:
其中,所述第一控制端子与所述第三控制端子沿所述第一输入布线的所述第二部分配置,
所述第二控制端子与所述第四控制端子沿所述模块基板的所述第三边配置。
6.根据权利要求3所述的半导体装置,其特征在于:
其中,所述第一输入布线的所述第一部分的宽度比所述第一输入布线的所述第二部分的宽度更宽。
7.根据权利要求6所述的半导体装置,其特征在于:
其中,所述模块基板的所述第一输入布线的宽度比配置于所述模块基板的上方的布线基板的宽度更宽。
8.根据权利要求6所述的半导体装置,其特征在于:
其中,所述第二输入布线被配置为靠近所述模块基板的所述第四边的中央。
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