[实用新型]堆叠封装结构

说明书

本实用新型提供一种堆叠封装结构，其中，所述堆叠封装结构包括自下而上依次设置的：第一芯片、第二芯片、塑封层、金属布线层以及制作于所述金属布线层上的导出点，所述塑封层完全包覆所述第二芯片。本实用新型解决了尺寸相差较小的多芯片堆叠封装问题；其凸点制作工艺简单，成本低；且不需要平坦化工艺露金属柱来实现互连，实现了成本进一步降低；且凸点均一性好。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种堆叠封装结构及其制作方法。

背景技术

微机电系统(Micro-Electro-Mechanical System，MEMS)芯片与互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)堆叠封装，惯常采用大尺寸芯片(如CMOS芯片)上堆叠小尺寸芯片(如MEMS芯片)，同时在大尺寸芯片空余区域长凸点，凸点高于小尺寸芯片，最后通过凸点倒装到PCB板上。

如图1所示，若CMOS芯片10与MEMS芯片20尺寸相差不大，CMOS芯片上平行MEMS芯片的空间不足，将无法完成凸点制作。

如图2所示，若采用TMV的方式，在垂直通孔中电镀金属，形成导电柱，将CMOS芯片10的电性引至MEMS芯片20的背面，再进行布线，做凸点。

然而，该方案在通孔中填充不低于MEMS芯片堆叠高度的金属柱(大于100μm)，成本高，工艺难度大，并且金属柱高度均一性无法保证。且金属柱形成后，还需要平坦化露出金属柱，导致成本进一步增加。

因此，对于尺寸相差不大的芯片堆叠封装，急需一种新的解决方案。

实用新型内容

本实用新型旨在提供一种堆叠封装结构及其制作方法，以克服现有技术中第一芯片上堆叠尺寸相差不大的第二芯片的封装技术存在的不足。

为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：

一种堆叠封装结构，其包括自下而上依次设置的：第一芯片、第二芯片、塑封层、金属布线层以及制作于所述金属布线层上的导出点，所述塑封层完全包覆所述第二芯片。

作为本实用新型的堆叠封装结构的改进，所述第一芯片具有功能面，所述功能面上设置有第一凸点，所述功能面上未设置有所述第一凸点的区域设置有第二凸点，所述第一凸点形成所述第一芯片的引出端，所述金属布线层与所述第一凸点相连接，所述第二芯片通过所述第二凸点与所述第一芯片相连接。

作为本实用新型的堆叠封装结构的改进，所述第一凸点的高度不大于50μm。

作为本实用新型的堆叠封装结构的改进，所述第一凸点直接设置于焊垫上，或者设置于对焊垫电性进行重新排布的金属互连线路上。

作为本实用新型的堆叠封装结构的改进，所述第二凸点的周围还填充有胶水。

作为本实用新型的堆叠封装结构的改进，在所述金属布线层上还设置有保护层，所述保护层上设置有开口，所述导出点自所述开口暴露而出。

为解决上述技术问题，本实用新型的另一技术方案是：

一种如上所述堆叠封装结构的制作方法，其包括如下步骤：

S1、提供一晶圆，晶圆包含若干第一芯片晶粒，在各晶粒功能面上制作第一凸点；

S2、提供具有第二凸点的第二芯片，将所述第二芯片通过其第二凸点设置于晶粒功能面上未设置第一凸点的区域，任一晶粒对应一第二芯片；

S3、对所述功能面上的第二芯片进行塑封，形成塑封层，并对所述塑封层进行减薄；

S4、在所述塑封层上进行开口，以暴露出所述晶圆的第一凸点；