[实用新型]一种TFET器件有效
| 申请号： | 201721007871.1 | 申请日： | 2017-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN207542249U | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 张捷 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/16;H01L29/06 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延层 本实用新型 衬底材料 栅介质层 载流子迁移率 栅极材料层 电流驱动 短沟效应 频率特性 驱动电流 有效地 漏区 亚阈 源区 | ||
【权利要求书】：
1.一种TFET器件，其特征在于，包括：
衬底材料(101)；
Ge外延层(102)，设置于所述衬底材料(101)表面；
GeSn外延层(103)，设置于所述Ge外延层(102)表面；
栅介质层(104)，设置于所述GeSn外延层(103)表面；
栅极材料层(105)，设置于所述栅介质层(104)表面；
源区(106)和漏区(107)，分别设置于所述GeSn外延层(103)两侧。
2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述衬底材料(101)为N型单晶硅。
3.根据权利要求2所述的器件，其特征在于，所述N型单晶硅的掺杂浓度为5×1018cm-3。
4.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述GeSn外延层(103)为N型掺杂，掺杂离子为P+离子，掺杂浓度为1×1015cm-2。
5.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述源区(106)的掺杂离子为P+离子，掺杂浓度为3×1019cm-2；所述漏区(107)的掺杂离子为BF2+离子，掺杂浓度为5×1018cm-2。
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