[实用新型]一种无引线框架的半导体封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种无引线框架的半导体封装结构。

背景技术

在半导体封装过程中常采用引线框架作为集成电路的芯片载体，引线框架是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，引线框架是电子信息产业中重要的基础材料。

随着半导体集成度增加和终端电子产品体积缩小的发展，半导体元器件封装集成度也越来越高，芯片产生的热量需要及时且有效的散发，否则将阻碍半导体元器件正常高效的工作，特别是在使用功率较大的芯片(如功率芯片和二极管芯片等)时，更需要及时的对芯片进行散热处理。而目前大多的半导体封装件是在一引线框架上回流焊芯片，再利用封胶作业，以形成用于包覆该芯片的封装胶体。其中，用以包覆芯片的封装胶体多为散热性差的环氧树脂(Epoxy Resin)类的材料，因此半导体芯片在运行时所产生的热量将无法经由封装胶体有效散发至外界，造成热量散发效率低，进而影响到半导体芯片的性能。

实用新型内容

本实用新型的目的在于：提供一种无引线框架的半导体封装结构，其结构简单，散热效果好。

为达上述目的，本实用新型采用以下技术方案：

提供一种无引线框架的半导体封装结构，包括：

绝缘金属基板，其包括金属层、散热层以及用于隔离两者的绝缘层；

至少一芯片，其固定于所述金属层上并位于所述金属层远离所述绝缘层的一侧，所述散热层至少覆盖所述芯片对应的区域，所述芯片与所述金属层之间通过金属线和/或金属桥连接；

封装件，其包覆所述绝缘金属基板和所述芯片，并至少使所述散热层远离所述绝缘层的一侧外露出所述封装件，所述封装件采用绝缘介电材料制成。

作为无引线框架的半导体封装结构的一种优选方案，所述芯片远离所述绝缘金属基板的一侧设置辅助散热板。

作为无引线框架的半导体封装结构的一种优选方案，所述辅助散热板包括依次设置在所述芯片远离所述绝缘金属基板的一侧的辅助金属层、辅助绝缘层以及辅助散热层，其中，所述辅助散热层远离所述辅助绝缘层的一侧外露出所述封装件。

作为无引线框架的半导体封装结构的一种优选方案，所述绝缘金属基板上间隔设置控制芯片、功率芯片以及二极管芯片。

作为无引线框架的半导体封装结构的一种优选方案，所述控制芯片通过金属线与所述绝缘金属基板的所述金属层连接，所述控制芯片、所述功率芯片以及所述二极管芯片之间通过金属线连接，所述二极管芯片通过金属线与所述绝缘金属基板的所述金属层连接。

作为无引线框架的半导体封装结构的一种优选方案，所述控制芯片通过金属线分别与所述绝缘金属基板的所述金属层和所述功率芯片连接，所述功率芯片与所述二极管芯片之间通过金属桥连接，所述二极管芯片通过金属桥与所述绝缘金属基板的所述金属层连接。

作为无引线框架的半导体封装结构的一种优选方案，述控制芯片通过金属线分别与所述绝缘金属基板的所述金属层和所述功率芯片连接，所述功率芯片和所述二极管芯片远离所述绝缘金属基板的所述金属层的一侧设置辅助散热板，所述功率芯片与所述二极管芯片之间通过所述辅助散热板的辅助金属层连接，所述辅助散热板的所述辅助金属层与所述绝缘金属基板的所述金属层连接。

作为无引线框架的半导体封装结构的一种优选方案，所述辅助散热板的所述辅助金属层通过过渡金属板与所述绝缘金属基板的所述金属层连接。

作为无引线框架的半导体封装结构的一种优选方案，所述封装件为环氧树脂封装胶。

作为无引线框架的半导体封装结构的一种优选方案，所述绝缘金属基板的所述散热层为金属散热层。

优选的，所述散热层为铜层、锡层、铝层或铝合金层。

本实用新型的有益效果为：通过将芯片设置在绝缘金属基板上，可以利用此绝缘金属基板为芯片提供散热的需求，绝缘层可保证金属层和散热层高压绝缘，金属层可提供芯片电路导通，采用金属层、绝缘层以及散热层构成的绝缘金属基板替代常用的引线框架，克服了现有产品使用金属引线框架不能同时具备绝缘导热的能力的缺陷，且本方案的无引线框架的半导体封装结构具有结构简单，高散热性的优点。

附图说明

下面根据附图和实施例对本实用新型作进一步详细说明。

图1为本实用新型一实施例所述的无引线框架的半导体封装结构的剖视示意图。