[实用新型]一种应用于SOT23半导体封装的集成电路有效
| 申请号： | 201720513635.0 | 申请日： | 2017-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN206806330U | 公开（公告）日： | 2017-12-26 |
| 发明（设计）人： | 陈林;郑天凤;朱仕镇;韩壮勇;朱文锋;吴富友;刘志华;刘群英;朱海涛;张团结;王鹏飞;曹丙平;周贝贝 | 申请（专利权）人： | 深圳市三联盛科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L25/18 |
| 代理公司： | 深圳市深软翰琪知识产权代理有限公司44380 | 代理人： | 吴雅丽,孙勇娟 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 sot23 半导体 封装 集成电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种应用于SOT23半导体封装的集成电路，其特征在于，包括引线框架、倒装芯片和塑封体，所述倒装芯片上具有集成电路，至少包含两个串联的功率场效应晶体管和一个控制回路芯片，所述倒装芯片的连接凸点与引线框架上的焊盘电连接，并倒装在引线框架上。
2.根据权利要求1所述应用于SOT23半导体封装的集成电路，其特征在于，所述倒装芯片上的连接凸点为铜柱，所述引线框架表面覆盖有绝缘层，所述绝缘层上设有多个开口，以使引线框架相应的引脚部分暴露出来，所述开口与铜柱位置相对应。
3.根据权利要求2所述应用于SOT23半导体封装的集成电路，其特征在于，所述铜柱直径为50-100μm。
4.根据权利要求2所述应用于SOT23半导体封装的集成电路，其特征在于，所述绝缘层厚度为10μm。
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