[实用新型]一种半导体管芯基板

说明书

技术领域：

本实用新型涉及半导体元器件制造领域，尤其涉及一种半导体管芯基板。

背景技术：

目前，半导体管芯在生产时都是根据生产管芯的大小，预先在硅片基板上刻好划片槽，划片槽将硅片分隔成多个大小相同的管芯制造基片。半导体器件生产中是通过光刻机把光刻版上的图形转移到硅片上，由于需要进行多次光刻，通常会在硅片基板上设置对位标记，在后续光刻时光刻版上的对位标记和上次硅片光刻图形中的对位标记进行套准对位，以达到每层光刻图形均与上层图形套刻的目的。但是对位标记精度不高，在光刻时容易出错，而且现有对位标记过大，导致划片槽的宽度无法缩减，不能进一步提高硅片基板的利用率。

发明内容：

本实用新型的目的是为了解决现有技术中的问题，提供一种通过第一对位标记和第二对位标记来代替现有技术中的大型对位标记，同时取消了划片槽内的缓冲区，使划片槽的宽度能够得到进一步缩减，而且第一对位标记和第二对位标记分别设置在芯管基片四周，能够提高对位精度，减少出错几率的半导体管芯基板。

为了达到上述目的，本实用新型的技术方案是：

一种半导体管芯基板，包括基板本体，所述基板本体上等间距开设有纵横交错的划片槽，所述基板本体上通过划片槽分隔形成大小间距相同的矩形状的管芯基片，所述芯管基片上下两侧的划片槽内均开设有第一对位标记，所述芯管基片左右两侧的划片槽内均开设有第二对位标记；所述第一对位标记包括以3行7列形式设置的第一对位因子，相邻2列的所述第一对位因子之间的距离均相同；所述第二对位标记包括以3列8行形式设置的第二对位因子，相邻2行所述第二对位因子之间的距离也均相同；所述第一对位标记中中间一列的第一对位因子上均设置有第一识别因子，所述第二对位标记中第一行第二对位因子和最后一行第二对位因子上均设置有第二识别因子。

所述第一对位因子和第二对位因子均为圆柱状的对位因子，所述第一识别因子为三棱柱状、三棱锥状或者四棱柱状的第一识别因子，所述第二识别因子也为三棱柱状、三棱锥状或者四棱柱状的第二识别因子。

所述第一对位标记中第一行第一对位因子和第二行第一对位因子之间的距离小于第二行第一对位因子和第三行第一对位因子之间的距离。

所述第二对位标记中第一列第二对位因子和第二列第二对位因子之间的距离大于第二列第二对位因子和第三列第二对位因子之间的距离。

所述横向的划片槽和纵向的划片槽的交错处开设有十字形的切割定位孔。

本实用新型的有益效果是：本实用新型的一种半导体管芯基板，芯管基片上下两侧的划片槽内均开设有第一对位标记，芯管基片左右两侧的划片槽内均开设有第二对位标记，第一对位标记包括以3行7列形式设置的第一对位因子，第二对位标记包括以3列8行形式设置的第二对位因子，以小型对位因子组成的对位标记代替现有技术中的大型对位标记，能够不但能够提高对位精度，而且能够缩减划片槽的宽度，使同样的硅片基板能够制造更多的管芯，提高硅片基板的利用率；第一对位标记和第二对位标记不同，能够进一步提高对位精度，减少出错几率。

附图说明：

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为图1中A处的放大图；

图3为图1中B处的放大图；

图4为本实用新型第一对位标记处的放大剖面图；

图5为本实用新型第二对位标记处的放大剖面图。

具体实施方式：

实施例1

如图1-5所示的一种半导体管芯基板，包括基板本体1，所述基板本体1上等间距开设有纵横交错的划片槽2，所述基板本体1上通过划片槽2分隔形成大小间距相同的矩形状的管芯基片3，所述芯管基片3上下两侧的划片槽2内均开设有第一对位标记4，所述芯管基片3左右两侧的划片槽2内均开设有第二对位标记5。与现有的大型对位标记相比，所述第一对位标记4包括以3行7列形式设置的第一对位因子41，相邻2列的所述第一对位因子41之间的距离均相同。所述第二对位标记5包括以3列8行形式设置的第二对位因子51，相邻2行所述第二对位因子51之间的距离也均相同。为了进一步提高对位精度，减少对位识别时的出错几率，所述第一对位标记4中第一行第一对位因子41和第二行第一对位因子41之间的距离小于第二行第一对位因子41和第三行第一对位因子41之间的距离。所述第二对位标记5中第一列第二对位因子51和第二列第二对位因子51之间的距离大于第二列第二对位因子51和第三列第二对位因子51之间的距离。