[发明专利]具有密封结构的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

具有第一表面、内部区和边缘区的半导体主体，边缘区围绕内部区；

在第一方向上与半导体主体的第一表面间隔开的附连层；

布置在半导体主体的第一表面与附连层之间的中间层；以及

至少一个第一类型密封结构，包括：

布置在中间层中并且在第一方向上与附连层间隔开的第一屏障；

布置在中间层中的第二屏障，第二屏障邻接附连层、在第一方向上与半导体主体的第一表面间隔开、并且在第二方向上与第一屏障间隔开；以及

在第二方向上从第一屏障延伸到第二屏障的第三屏障，

其中所述至少一个第一类型密封结构形成半导体主体的内部区与半导体装置的边缘表面之间的屏障以便防止杂质原子经由半导体装置的边缘表面向半导体主体的内部区中扩散，

其中第二屏障布置在半导体主体的内部区与第一屏障之间，使得第一屏障比第二屏障更靠近半导体装置的边缘表面。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括布置在沟槽中的第四屏障，所述沟槽从第一表面延伸到半导体主体中，其中第一屏障邻接第四屏障。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中第四屏障包括电气传导第一屏障层，其通过第二屏障层与半导体主体电气或介电绝缘。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中第一屏障和第二屏障中的每一个是电气传导的，并且其中第三屏障是电气或介电绝缘的。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中第一屏障和第二屏障中的至少一个包括一个在另一个上面堆叠的多个段。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述至少一个第一类型密封结构形成沿着内部区的闭合回路。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括至少一个第二类型密封结构。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述至少一个第二类型密封结构包括：

第一屏障；

布置在沟槽中的附加屏障，所述沟槽从第一表面延伸到半导体主体中；和

中间层的顶部上的电气传导层，

其中第一屏障连接到电气传导层，

其中第一屏障邻接附加屏障，

其中电气传导层与附连层间隔开。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，还包括布置在第一类型密封结构与第二类型密封结构之间的至少一个第三类型密封结构。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述至少一个第三类型密封结构包括：

第一屏障；

第二屏障；

布置在沟槽中的附加屏障，所述沟槽从第一表面延伸到半导体主体中；和

中间层的顶部上的电气传导层，

其中第一屏障连接到电气传导层，

其中电气传导层与附连层间隔开。

11.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述至少一个第一类型密封结构、所述至少一个第二类型密封结构和所述至少一个第三类型密封结构一起形成闭合回路。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中闭合回路包括一个第一类型密封结构、一个第二类型密封结构和两个第三类型密封结构。

13.根据权利要求11所述的半导体装置，其中闭合回路包括与彼此间隔开的两个第一类型密封结构、与彼此间隔开的两个第二类型密封结构、以及四个第三类型密封结构。

14.根据权利要求9所述的半导体装置，其中第二类型密封结构和第三类型密封结构中的每一个包括第三屏障。

15.根据权利要求1所述的半导体装置，其中第三屏障包括至少一个氮化物层。