[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上具有鳍部，所述鳍部包括散热区和位于所述散热区上的器件区；

形成外延层和隔离结构，所述外延层位于所述散热区鳍部侧壁表面，且暴露出所述器件区鳍部，所述隔离结构覆盖所述外延层侧壁，所述外延层材料的导热系数大于所述隔离结构材料的导热系数；

形成覆盖所述鳍部器件区侧壁的侧墙，且所述侧墙暴露出所述散热区鳍部侧壁；以所述侧墙为掩膜，在所述侧墙暴露出的鳍部侧壁表面形成外延层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述外延层的材料为单晶硅、单晶锗、单晶硅锗或III-V族元素材料的单晶体。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述外延层的工艺包括外延生长工艺。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述外延层的厚度为1nm~5nm；所述外延层沿垂直于所述衬底表面方向的尺寸为2nm~30nm。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述外延层之后，去除所述侧墙。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述侧墙的材料为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。

7.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述侧墙的步骤包括：在所述衬底上形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述散热区鳍部侧壁，且所述牺牲层暴露出所述器件区鳍部，所述牺牲层的材料与所述侧墙的材料不相同；在所述牺牲层暴露出的鳍部侧壁形成侧墙；形成所述侧墙之后，去除所述牺牲层；

形成所述外延层之后，形成所述隔离结构。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述隔离结构之前，去除所述侧墙；或者，形成所述隔离结构之后，去除所述侧墙。

9.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述牺牲层暴露出的鳍部侧壁形成侧墙的步骤包括：形成覆盖所述牺牲层以及所述牺牲层暴露出的鳍部侧壁和顶部的侧墙层；去除覆盖所述牺牲层的侧墙层，形成侧墙。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除覆盖所述牺牲层的侧墙层的工艺包括：各向异性干法刻蚀工艺。

11.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为旋涂碳层、氧化硅、氮化硅或有机介质层。

12.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，当所述牺牲层的材料为旋涂碳层、氧化硅或有机介质层时，形成所述牺牲层的工艺包括旋涂工艺；

当所述牺牲层的材料为氧化硅或氮化硅时，形成所述牺牲层的工艺包括化学气相沉积工艺、物理气相沉积工艺或原子层沉积工艺。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述外延层和隔离结构的步骤包括：在所述器件区和散热区鳍部侧壁表面形成初始外延层；形成初始外延层之后，在所述衬底上形成隔离结构，所述隔离结构覆盖所述散热区初始外延层侧壁；以所述隔离结构为掩膜，去除所述器件区初始外延层，形成外延层。

14.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述外延层的材料与所述鳍部的材料不相同。

15.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述器件区初始外延层的步骤包括：形成所述隔离结构之后，对所述器件区初始外延层进行氧化处理，形成氧化层；去除所述氧化层。