[发明专利]半导体封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构包括：

天线基板，所述天线基板包括相对的第一表面及第二表面；

重新布线层，位于所述天线基板的第一表面上；

天线组件，位于所述天线基板的第二表面上；

高频聚波弧镜，位于所述天线基板的第二表面上，且将所述天线组件封裹塑封，用于增加所述天线组件的天线增益。

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述天线基板包括：玻璃基板、硅基板、Roger 5880基板、高分子材料基板或复合材料基板。

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述重新布线层包括：

绝缘层，位于所述天线基板的第二表面；

至少一层金属线层，位于所述绝缘层内；

凸块下金属层，位于所述绝缘层远离所述天线基板的表面，且与所述金属线层电连接。

4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述天线组件包括至少一个天线单元，所述天线单元为块状天线或螺旋状天线。

5.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，所述天线组件包括多个所述天线单元，多个所述天线单元在所述天线基板的第一表面上呈单层分布。

6.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，所述天线组件包括多个所述天线单元，多个所述天线单元在所述天线基板的第一表面上呈上下间隔叠置的若干层分布，且相邻两层所述天线单元之间相连接。

7.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，所述天线组件还包括介质层，所述介质层至少位于相邻两层所述天线单元之间。

8.根据权利要求5至7中任一项所述的半导体封装结构，其特征在于，各层所述天线单元均包括多个所述天线单元，各层所述天线单元中的多个所述天线单元沿平行于所述天线基板第一表面的方向呈阵列分布、环形分布或无规则间隔排布。

9.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述高频聚波弧镜为凸面镜。

10.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述高频聚波弧镜为聚合物凸面镜。

11.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构还包括：

半导体芯片，倒装装设于所述重新布线层远离所述天线基板的表面，且与所述重新布线层电连接；

焊料凸块，位于所述重新布线层远离所述天线基板的表面，且与所述重新布线层电连接。

12.一种半导体封装结构的制备方法，其特征在于，所述半导体封装结构的制备方法包括如下步骤：

1)提供一天线基板，所述天线基板包括相对的第一表面及第二表面；

2)于所述天线基板的第一表面形成重新布线层；

3)于所述天线基板的第二表面形成天线组件；

4)于所述天线基板的第二表面形成高频聚波弧镜，所述高频聚波弧镜将所述天线组件封裹塑封，用于增加所述天线组件的天线增益。

13.根据权利要求12所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，步骤1)中提供给的所述天线基板包括：玻璃基板、硅基板、Roger 5880基板、高分子材料基板或复合材料基板。

14.根据权利要求12所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，步骤4)中，于所述天线基板的第二表面形成所述高频聚波弧镜包括如下步骤：

4-1)于所述天线基板的第二表面形成高频聚波弧镜材料层；

4-2)对所述高频聚波弧镜材料层进行加工以形成所述高频聚波弧镜。