[发明专利]一种半导体生产工艺方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体生产工艺方法。

背景技术

目前在通常的半导体生产的工艺流程中，许多工艺模块都会要求用炉子生长许多的热氧化层，而用炉子生长这些的热氧化层的同时又伴随着很长的热处理时间，这些热处理的每一步在工艺实践中不可能都非常完美，这其中因素包括热处理机器本身带来因素，还包括硅片表面状况的不同而造成的影响。热处理时间越长，这些高温而且长时间的热处理必然可能会造成由于应力等诸多因素而造成的硅片的缺陷，而这些缺陷会直接导致硅片的静态漏电，这对一些漏电流要求很高器件会产生致命的影响。

如图1所示，是现有的工艺的流程示意图(包含一些主要的步骤)，包括牺牲氧化层生长、阱注入模块、其他注入模块、氟化氢(HF)处理、栅氧生长等。

发明内容

本发明提供了一种半导体生产工艺方法，解决了以上所述的技术问题。

本发明解决上述技术问题的方案如下：一种半导体生产工艺方法，按顺序对器件进行如下工艺步骤：牺牲氧化物生长、阱注入模块、其他注入模块、氟化氢处理、栅氧生长及光刻胶去除工艺；

所述牺牲氧化物生长采用快速热氧化方法；

所述光刻胶去除工艺包括以下步骤：软化工艺，利用去离子水对光刻胶表面的硬质层进行快速冲洗，所述去离子水的温度为55℃ -65℃；

干法去胶工艺，利用等离子体对光刻胶进行轰击，以去除软化之后的硬质层和部分光刻胶；

湿法去胶工艺，利用清洗液去除剩余光刻胶。

进一步，所述软化工艺的持续时间为9-10分钟。

进一步，所述干法去胶工艺使用的等离子体由微波、射频和臭氧源共同作用产生。

进一步，所述湿法去胶工艺使用的清洗液为硫酸和氧化剂溶液。

进一步，所述氟化氢处理时间为3到8分钟。。

本发明的有益效果是：本发明提供了一种半导体生产工艺方法，具有以下优点：1、通过在一种半导体生产工艺方法中加入光刻胶去除工艺，该光刻胶去除方法能够彻底地去除光刻胶并避免在去胶过程中对衬底形成损坏，同时该半导体制作方法能够保证在离子注入工艺后，光刻胶层被有效地去除，从而减少因光刻胶残留物引起的缺陷对半导体器件的损坏；2、采用快速热氧化的方法生长牺牲氧化层，取代传统的用炉子的方法生长牺牲氧化层，有效减少了热处理的时间，从而减小了由于长时间的热处理而造成的硅片的应力问题，减小了由于长时间地热处理而造成的缺陷，达到获得较小硅片静态漏电流的效果。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本发明的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1是现有工艺的流程示意图；

图2是在本发明具体实施例中采用图1工艺生产硅片的良率情况；

图3本发明工艺的流程示意图；

图4是在本发明具体实施例中采用图3工艺生产硅片的良率情况，其他工艺条件与图2完全相同；

图5是本发明的光刻胶去除方法所针对的器件剖面示意图；

图6是本发明的光刻胶去除方法流程示意图；

图7是运用本发明的光刻胶去除方法与现有的去除方法的效果比较图；

图8是本发明的半导体生产方法的流程示意图。

具体实施方式

以下结合附图1-8对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

需要说明的是，当组件被称为“固定于”另一个组件，它可以直接在另一个组件上或者也可以存在居中的组件。当一个组件被认为是“连接”另一个组件，它可以是直接连接到另一个组件或者可能同时存在居中组件。当一个组件被认为是“设置于”另一个组件，它可以是直接设置在另一个组件上或者可能同时存在居中组件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。