[发明专利]一种半导体生产工艺方法在审
| 申请号： | 201711115015.2 | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN107910247A | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 徐庆富 | 申请（专利权）人： | 广西塔锡科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司11212 | 代理人： | 杨立,周玉婷 |
| 地址： | 541004 广西壮族自治区桂林市七星区高新*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 生产工艺 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体生产工艺方法，其特征在于，按顺序对器件进行如下工艺步骤：牺牲氧化物生长、阱注入模块、其他注入模块、氟化氢处理、栅氧生长及光刻胶去除工艺；
所述牺牲氧化物生长采用快速热氧化方法；
所述光刻胶去除工艺包括以下步骤：软化工艺，利用去离子水对光刻胶表面的硬质层进行快速冲洗，所述去离子水的温度为55℃-65℃；
干法去胶工艺，利用等离子体对光刻胶进行轰击，以去除软化之后的硬质层和部分光刻胶；
湿法去胶工艺，利用清洗液去除剩余光刻胶。
2.根据权利要求1所述一种半导体生产工艺方法，其特征在于，所述软化工艺的持续时间为9-10分钟。
3.根据权利要求1所述一种半导体生产工艺方法，其特征在于，所述干法去胶工艺使用的等离子体由微波、射频和臭氧源共同作用产生。
4.根据权利要求1所述一种半导体生产工艺方法，其特征在于，所述湿法去胶工艺使用的清洗液为硫酸和氧化剂溶液。
5.根据权利要求1-4任一所述一种半导体生产工艺方法，其特征在于，所述氟化氢处理时间为3到8分钟。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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