[发明专利]半导体封装件和制造半导体封装件的方法

说明书

提供半导体封装件和制造半导体封装件的方法，所述半导体封装件包括：成型基底；至少一个第一半导体芯片，位于成型基底中并包括芯片焊盘；布线结合焊盘，形成在成型基底的第一表面处并通过结合布线连接到芯片焊盘；以及再分布布线层，覆盖成型基底的第一表面并包括连接到布线结合焊盘的再分布布线。

本申请要求于2016年11月2日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2016-0145316号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。

技术领域

示例实施例涉及半导体封装件和/或制造该半导体封装件的方法。更具体地，示例实施例涉及扇出型晶圆级封装件(FOWLP)和/或制造该半导体封装件的方法。

背景技术

扇出型晶圆级封装件可以包括围绕半导体芯片的侧壁和底表面的成型层以及形成在半导体芯片上的再分布布线层。在以倒装芯片的方式安装半导体芯片的情况下，可以对从成型层暴露的倒装芯片凸块执行晶圆级的再分布布线工艺，以形成再分布布线层。然而，当半导体芯片具有结合布线结构时，会难以执行晶圆级的再分布布线工艺。

发明内容

一些示例实施例提供了包括结合布线结构的扇出型晶圆级封装件。

一些示例实施例提供了制造扇出型晶圆级封装件的方法。

根据示例实施例，半导体封装件包括：成型基底；至少一个第一半导体芯片，位于成型基底中，所述至少一个第一半导体芯片包括芯片焊盘；布线结合焊盘，位于成型基底的第一表面处，布线结合焊盘通过结合布线连接到芯片焊盘；以及再分布布线层，覆盖成型基底的第一表面，再分布布线层包括再分布布线，再分布布线连接到布线结合焊盘。

根据示例实施例，一种制造方法包括：在虚设基底上形成布线结合焊盘；在虚设基底上堆叠至少一个第一半导体芯片；形成结合布线以将第一半导体芯片的第一芯片焊盘与布线结合焊盘彼此连接；使用成型构件在虚设基底上覆盖第一半导体芯片，以形成成型基底；从成型基底去除虚设基底，使得布线结合焊盘从成型基底的第一表面暴露，并且在成型基底的第一表面上形成包括电连接到布线结合焊盘的再分布布线的再分布布线层。

根据示例实施例，制造半导体封装件的方法包括：在虚设基底上形成继电器结合焊盘；在虚设基底上堆叠至少一个第一半导体芯片；形成导电连接构件以将第一半导体芯片的芯片焊盘与继电器结合焊盘连接；使用成型构件在虚设基底上覆盖第一半导体芯片，以在虚设基底上形成成型基底；从成型基底去除虚设基底，使得继电器结合焊盘从成型基底的第一表面暴露；以及在成型基底的第一表面上形成再分布布线层，所述再分布布线层包括电连接到继电器结合焊盘的再分布布线。

根据示例实施例，半导体封装件包括：第一半导体芯片，在成型基底中具有结合布线结构；布线结合焊盘，形成在成型基底的第一表面中并结合到电连接到第一半导体芯片的结合布线的端部；以及扇出型再分布布线层，通过再分布布线工艺形成在成型基底的第一表面上。再分布布线层的第一再分布布线可以结合到从成型基底的第一表面暴露的布线结合焊盘。

根据示例实施例，半导体封装件包括：再分布布线层，包括再分布布线和连接到再分布布线的扇出型接合焊盘；至少一个第一半导体芯片，位于再分布布线层上，所述至少一个第一半导体芯片包括其上具有第一芯片焊盘的第一表面和面向再分布布线层的第二表面；布线结合焊盘，位于再分布布线层的第一表面处，所述布线结合焊盘连接到再分布布线中的对应的再分布布线；以及结合布线，将第一芯片焊盘与布线结合焊盘连接，使得第一芯片焊盘连接到再分布布线层的第二表面上的扇出型接合焊盘中的对应的扇出型接合焊盘，再分布布线层的第二表面与再分布布线层的第一表面相对。

因此，布线结合焊盘可以用作将结合布线电连接到由再分布布线工艺形成的再分布布线的中间体，并且在结合布线与再分布布线之间提供物理结合表面。布线结合焊盘可以在再分布布线层上安装由于结合布线结构而与扇出型再分布布线层不兼容的半导体芯片，从而提供扇出型晶圆级封装件。

附图说明