[发明专利]一种半导体设备用布线基板

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体设备用布线基板，属于半导体装置技术领域。

背景技术

半导体（ semiconductor），指常温下导电性能介于导体（conductor）与绝缘体（insulator）之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。

随着半导体的广泛应用，布线基板由于是半导体设备中的重要组成部分，也被广泛应用，由于目前电子产品在使用过程中，常常发生过热现在，容易造成布线基板上的线路损坏。

发明内容

本发明要解决的技术问题是，针对现有技术不足，提出一种具有降温功能的半导体设备用布线基板及其加工工艺。

本发明为解决上述技术问题提出的技术方案是：一种半导体设备用布线基板，包括基板、冷却液箱、循环泵和散热装置，基板自内至外包括基板本体、缓冲层、非晶硅层和保护层，基板本体内设置有散热管路，散热管路、循环泵、冷却液箱和散热装置依次通过管路连通形成回路的；散热装置包括散热空腔和至少一片散热片，散热片设置在散热空腔的外壁上；

其中散热片的加工工艺包括以下步骤：

A、配料：散热片中各成分的质量百分比为：C：0.01-0.03%，Fe:3.23-4.45%,Zn:2.21-2.67%,Mn：0.67-0.94%，Cr：0.03-0.06%，Ni：0.11-0.17%，Mo：0.11-0.15%，Pd：0.03-0.08%,Ce：0.02-0.08%,Lu:0.13-0.17%，Ga：0.66-0.75%，Y：0.01-0.03%，Sn：0.69-1.27%，Zr：0.02-0.05%，Re：0.01-0.03%，余量为Al；

B、制备坯料：以步骤㈠中配料为原料通过熔炼制成正方形坯料；

C、锻打:将步骤B中的正方形坯料在800-900℃的温度下锻打，制得散热片毛胚；

D、车加工：将毛胚安装需要的尺寸进行车加工制得初始散热片；

E、清洗去油：将初始散热片进行清洗去油；

F、将初始散热片进行热处理，具体工艺为：

加热：将初始散热片加热至800-820℃，并保温1-2小时；

冷却：采用风冷以6-8℃/s的冷却速率将初始散热片加速冷却至250-300℃后，再空冷至室温；

一次回火：将初始散热片加热至550-600℃回火65-75min后，以11-15℃/s的冷却速率加速冷却至300℃后，再空冷至室温；

淬火：将初始散热片加热到700℃，在淬火油中进行淬火30min，再空冷至室温；

二次回火：将淬火后的初始散热片加热至600℃回火40-45min，后空冷至室温；

G、将初始散热片清洗并烘干，制得散热片。

上述技术方案的改进是：散热管路和循环泵之间的管路上设置有阀门。

上述技术方案的改进是：冷却液箱内设置有温度传感器。

上述技术方案的改进是：基板的上表面设置有至少一个第一导电接垫，基板的下表面与第一导电接垫对应位置设置有至少一个第二导电接垫，基板内设置有至少一个导电柱，导电柱与第一导电接垫和第二导电接垫的其中之一抵接。

上述技术方案的改进是：导电柱与基板接触的部分设置有绝缘层。

上述技术方案的改进是：散热片为三片，三片散热片均匀间隔设置在散热空腔的下端外壁上。

上述技术方案的改进是：散热片的加工工艺的步骤A中，所述散热片中各成分的质量百分比为：C：0.01%，Fe:3.25%,Zn:2.27%,Mn：0.69%，Cr：0.04%，Ni：0.12%，Mo：0.13%，Pd：0.04%,Ce：0.03%,Lu:0.14%，Ga：0.69%，Y：0.02%，Sn：0.77%，Zr：0.03%，Re：0.02%，余量为Al。