[发明专利]一种半导体设备用布线基板

权利要求书

1.一种半导体设备用布线基板，其特征在于：包括基板、冷却液箱、循环泵和散热装置，所述基板自内至外包括基板本体、缓冲层、非晶硅层和保护层，所述基板本体内设置有散热管路，所述散热管路、循环泵、冷却液箱和散热装置依次通过管路连通形成回路的；所述散热装置包括散热空腔和至少一片散热片，所述散热片设置在所述散热空腔的外壁上；

其中散热片的加工工艺包括以下步骤：

A、配料：所述散热片中各成分的质量百分比为：C：0.01-0.03%， Fe:3.23-4.45%,Zn:2.21-2.67%,Mn：0.67-0.94%，Cr：0.03-0.06%，Ni：0.11-0.17%，Mo：0.11-0.15%，Pd：0.03-0.08%,Ce：0.02-0.08%,Lu:0.13-0.17%，Ga：0.66-0.75%，Y：0.01-0.03%，Sn：0.69-1.27%，Zr：0.02-0.05%，Re：0.01-0.03%，余量为Al；

B、制备坯料：以步骤㈠中配料为原料通过熔炼制成正方形坯料；

C、锻打:将步骤B中的正方形坯料在800-900℃的温度下锻打，制得散热片毛胚；

D、车加工：将毛胚安装需要的尺寸进行车加工制得初始散热片；

E、清洗去油：将初始散热片进行清洗去油；

F、将初始散热片进行热处理，具体工艺为：

加热：将初始散热片加热至800-820℃，并保温1-2小时；

冷却：采用风冷以6-8℃/s的冷却速率将初始散热片加速冷却至250-300℃后，再空冷至室温；

一次回火：将初始散热片加热至550-600℃回火65-75min后，以11-15℃/s的冷却速率加速冷却至300℃后，再空冷至室温；

淬火：将初始散热片加热到700℃，在淬火油中进行淬火30min，再空冷至室温；

二次回火：将淬火后的初始散热片加热至600℃回火40-45min，后空冷至室温；

G、将初始散热片清洗并烘干，制得散热片。

2.根据权利要求1所述的半导体设备用布线基板，其特征在于：所述散热管路和循环泵之间的管路上设置有阀门。

3.根据权利要求2所述的半导体设备用布线基板，其特征在于：所述冷却液箱内设置有温度传感器。

4.根据权利要求3所述的半导体设备用布线基板，其特征在于：所述基板的上表面设置有至少一个第一导电接垫，所述基板的下表面与所述第一导电接垫对应位置设置有至少一个第二导电接垫，所述基板内设置有至少一个导电柱，所述导电柱与所述第一导电接垫和第二导电接垫的其中之一抵接。

5.根据权利要求4所述的半导体设备用布线基板，其特征在于：所述导电柱与所述基板接触的部分设置有绝缘层。

6.根据权利要求5所述的半导体设备用布线基板，其特征在于：所述散热片为三片，所述三片散热片均匀间隔设置在所述散热空腔的下端外壁上。

7.根据权利要求6所述的半导体设备用布线基板，其特征在于：所述散热片的加工工艺的步骤A中，所述散热片中各成分的质量百分比为：C：0.01%， Fe:3.25%,Zn:2.27%,Mn：0.69%，Cr：0.04%，Ni：0.12%，Mo：0.13%，Pd：0.04%,Ce：0.03%,Lu:0.14%，Ga：0.69%，Y：0.02%，Sn：0.77%，Zr：0.03%，Re：0.02%，余量为Al。

8.根据权利要求6所述的半导体设备用布线基板，其特征在于：所述散热片的加工工艺的步骤A中，所述散热片中各成分的质量百分比为：C：0.02%， Fe:4.34%,Zn:2.55%,Mn：0.88%，Cr：0.05%，Ni：0.17%，Mo：0.15%，Pd：0.08%,Ce：0.05%,Lu:0.16%，Ga：0.69%，Y：0.03%，Sn：1.27%，Zr：0.05%，Re：0.03%，余量为Al。