[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

一种半导体装置的制造方法包括：在管芯上形成导电柱；使用焊料将测试探针耦合到所述导电柱；以及使用多个刻蚀工艺对所述焊料及所述导电柱进行刻蚀，所述多个刻蚀工艺包括第一刻蚀工艺，所述第一刻蚀工艺包括使用氮系刻蚀剂对所述导电柱进行刻蚀。

技术领域

本发明实施例涉及半导体装置的制造方法。

背景技术

半导体装置被用于例如个人计算机、手机、数码相机及其他电子装备等各种各样的电子应用中。半导体装置通常是通过以下方式来制作：在半导体衬底之上依序沉积绝缘层或介电层、导电层、以及半导体材料层；以及利用光刻(lithography)对所述各种材料层进行图案化以在其上形成电路组件及元件。通常会在单个半导体晶片(semiconductorwafer)上制造数十或数百个集成电路。通过沿着切割道(scribe line)锯切集成电路来单体化各别的管芯(die)。接着将所述各别的管芯单独地封装，例如在多芯片模块中封装或以其他类型的封装方式进行封装。

半导体行业通过不断减小最小特征大小来不断地提高各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器及电容器等)的集成密度，以使得更多的组件能够被集成到给定区域中。在一些应用中，例如集成电路管芯等这些较小的电子组件也可能需要使用比过去的封装小的面积的较小的封装。

发明内容

本发明实施例包括一种半导体装置的制造方法。所述方法包括：在管芯上形成导电柱；使用焊料将测试探针耦合到所述导电柱；以及使用多个刻蚀工艺对所述焊料及所述导电柱进行刻蚀，所述多个刻蚀工艺包括第一刻蚀工艺，所述第一刻蚀工艺包括使用氮系刻蚀剂对所述导电柱进行刻蚀。

本发明实施例包括一种半导体装置的制造方法。所述方法包括：使用焊料将测试探针耦合到导电柱；在对所述测试探针进行耦合之后，从所述导电柱移除所述测试探针；以及在移除所述测试探针之后，使用刻蚀工艺从所述导电柱移除所述焊料的剩余部分，所述刻蚀工艺包括使用氮系刻蚀剂对所述焊料进行刻蚀。

本发明实施例包括一种半导体装置的制造方法。所述方法包括：在管芯上形成铜柱体；在所述铜柱体上形成焊料球；对所述焊料球进行回流以形成焊料连接部，所述焊料连接部接触所述铜柱体的侧壁并将测试探针耦合到所述铜柱体的顶表面；使用所述测试探针来测试所述管芯；以及使用氮系刻蚀剂对所述铜柱体的所述顶表面及所述侧壁进行刻蚀。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本发明的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1至图9是根据一些实施例的在形成及测试管芯的工艺期间的各中间步骤的剖视图。

图10至图15是根据一些实施例的在形成第一装置封装的工艺期间的各中间步骤的剖视图。

图16是根据一些实施例的在形成封装结构的工艺期间的中间步骤的剖视图。

图17至图18是根据其他实施例的在形成第一装置封装的工艺期间的各中间步骤的剖视图。

具体实施方式

以下公开内容提供用于实作本发明的不同特征的许多不同的实施例或实例。以下阐述组件及排列的具体实例以简化本公开内容。当然，这些仅为实例且不旨在进行限制。举例来说，以下说明中将第一特征形成在第二特征“之上”或第二特征“上”可包括其中第一特征及第二特征被形成为直接接触的实施例，且也可包括其中第一特征与第二特征之间可形成有附加特征、进而使得所述第一特征与所述第二特征可能不直接接触的实施例。另外，本公开内容可能在各种实例中重复使用参考编号及/或字母。这种重复使用是出于简洁及清晰的目的，而不是自身表示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。