[发明专利]三维存储器及其制作方法

权利要求书

1.一种三维存储器制作方法，其特征在于，所述三维存储器包括核心区域和围绕所述核心区域的外围区域，所述外围区域以及所述核心区域均沉积有氧化层，所述三维存储器制作方法包括：

去除所述核心区域的氧化层；

沉积叠层结构，使所述核心区域的叠层结构的表面与所述外围区域的氧化层表面齐平，所述叠层结构包括层叠设置的第一子叠层和第二子叠层，且所述叠层结构的底层和顶层均为所述第一子叠层，所述核心区域顶层的第一子叠层和所述外围区域底层的第一子叠层为阻挡层；

去除所述外围区域的阻挡层背离所述氧化层一侧的所述第一子叠层和所述第二子叠层；

平坦化所述外围区域和所述核心区域至所述外围区域的阻挡层；

去除所述核心区域和所述外围区域的阻挡层；

将所述叠层结构中的第一子叠层替换为金属，形成栅极叠层；

制作金属线，所述金属线与所述栅极叠层一一对应电性连接。

2.根据权利要求1所述的三维存储器制作方法，其特征在于，所述去除所述核心区域和所述外围区域的阻挡层，具体包括：

采用湿法刻蚀工艺将所述核心区域和所述外围区域的阻挡层去除。

3.根据权利要求1所述的三维存储器制作方法，其特征在于，所述去除所述核心区域的氧化层，具体包括：

采用硬掩膜刻蚀工艺将所述核心区域的氧化层刻蚀去除。

4.根据权利要求1所述的三维存储器制作方法，其特征在于，所述平坦化所述外围区域和所述核心区域至所述外围区域的阻挡层，具体包括：

采用化学机械研磨工艺研磨所述核心区域和所述核心区域至所述外围区域的阻挡层。

5.根据权利要求1-4任意一项所述的三维存储器制作方法，其特征在于，所述第一子叠层的材质为SiN或多晶硅。

6.根据权利要求1-4任意一项所述的三维存储器制作方法，其特征在于，所述第二子叠层与所述氧化层的材质相同，均为SiO₂。

7.一种三维存储器，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括核心区域和围绕所述核心区域的外围区域；

位于所述外围区域的沟道和源极、漏极，以及覆盖所述沟道、所述源极和所述漏极的氧化层，所述氧化层朝向所述核心区域的侧壁相对于所述衬底的表面倾斜；

位于所述核心区域的栅极叠层，所述栅极叠层包括与所述衬底的表面平行的第一栅极叠层和相对于所述衬底的表面倾斜的第二栅极叠层，所述第二栅极叠层的倾斜度与所述外围区域的氧化层朝向所述核心区域的侧壁的倾斜度一样，每层所述第二栅极叠层的一端与每层所述第一栅极叠层一一对应连接；

多条金属线；

其中，每层所述第二栅极叠层的另一端、所述源极以及所述漏极分别连接一条金属线。

8.根据权利要求7所述的三维存储器，其特征在于，所述第一栅极叠层和所述第二栅极叠层的材质均为金属钨。